Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
The peculiarities of CdТе, CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Те single crystals dissolution in the solutions of HN0₃-HCl-citric acid system are investigated and the surfaces of equal etching rates (Gibbs diagrams) are constructed. The limiting stages of dissolution process and regions of polishing so...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137710 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid / Z.F. Tomashik, Ye.O. Bilevych, P.I. Feichuk, V.M. Tomashik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 396-400. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137710 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Tomashik, Z.F. Bilevych, Ye.O. Feichuk, P.I. Tomashik, V.M. 2018-06-17T15:17:03Z 2018-06-17T15:17:03Z 2005 Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid / Z.F. Tomashik, Ye.O. Bilevych, P.I. Feichuk, V.M. Tomashik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 396-400. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137710 The peculiarities of CdТе, CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Те single crystals dissolution in the solutions of HN0₃-HCl-citric acid system are investigated and the surfaces of equal etching rates (Gibbs diagrams) are constructed. The limiting stages of dissolution process and regions of polishing solutions for these semiconductors are determined. Increasing of ZnТе contents in the Cd₁-ₓZnₓТе solid solutions has been shown to result in a linear increasing of dissolution rate. Исследованы особенности растворения CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe и Те в растворах системы HNO₃-HCl-лимонная кислота и построены поверхности одинаковых скоростей растворения (диаграммы Гиббса). Определены лимитирующие стадии процесса растворения и области растворов, которые могут использоваться для химического полирования этих полупроводников. Показано, что увеличение содержания ZnТе в составе твердых растворов Cd₁-ₓZnₓТе приводит к линейному увеличению скорости растворения. Дослiджено особливостi розчинення монокристалiв CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe та Те в розчинах системи HNO₃-HCl-лимонна кислота та побудовано поверхнi однакових швидкостей розчинення (дiаграми Гiббса). Визначено лiмiтуючi стадi'ї процесу розчинення та областi розчинiв, що можуть використовуватися для хiмiчного полiрування цих напiвпровiдникiв. Показано, що збiльшення вмiсту ZnТе у складi твердих розчинiв Cd₁-ₓZnₓТе приводить до лiнiйного збiльшення швидкостi розчинення. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid Хімічне травлення CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe та Те у розчинах HNO₃-HCl-лимонна кислота Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid |
| spellingShingle |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid Tomashik, Z.F. Bilevych, Ye.O. Feichuk, P.I. Tomashik, V.M. |
| title_short |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid |
| title_full |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid |
| title_fullStr |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid |
| title_full_unstemmed |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid |
| title_sort |
chemical etching of cdte, cdₓhg₁-ₓte, znₓcd₁-ₓte and te in the hno₃-hcl-citric acid |
| author |
Tomashik, Z.F. Bilevych, Ye.O. Feichuk, P.I. Tomashik, V.M. |
| author_facet |
Tomashik, Z.F. Bilevych, Ye.O. Feichuk, P.I. Tomashik, V.M. |
| publishDate |
2005 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Хімічне травлення CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe та Те у розчинах HNO₃-HCl-лимонна кислота |
| description |
The peculiarities of CdТе, CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Те single crystals dissolution in the solutions of HN0₃-HCl-citric acid system are investigated and the surfaces of equal etching rates (Gibbs diagrams) are constructed. The limiting stages of dissolution process and regions of polishing solutions for these semiconductors are determined. Increasing of
ZnТе contents in the Cd₁-ₓZnₓТе solid solutions has been shown to result in a linear increasing of dissolution rate.
Исследованы особенности растворения CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe и Те в растворах системы HNO₃-HCl-лимонная кислота и построены поверхности одинаковых скоростей растворения (диаграммы Гиббса). Определены лимитирующие стадии процесса растворения и области растворов, которые могут использоваться для химического полирования этих полупроводников. Показано, что увеличение содержания ZnТе в составе твердых растворов Cd₁-ₓZnₓТе приводит к линейному увеличению скорости растворения.
Дослiджено особливостi розчинення монокристалiв CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe та Те в розчинах системи HNO₃-HCl-лимонна кислота та побудовано поверхнi однакових швидкостей розчинення (дiаграми Гiббса). Визначено лiмiтуючi стадi'ї процесу розчинення та областi розчинiв, що можуть використовуватися для хiмiчного полiрування цих напiвпровiдникiв. Показано, що збiльшення вмiсту ZnТе у складi твердих розчинiв Cd₁-ₓZnₓТе приводить до лiнiйного збiльшення швидкостi розчинення.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137710 |
| citation_txt |
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid / Z.F. Tomashik, Ye.O. Bilevych, P.I. Feichuk, V.M. Tomashik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 396-400. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT tomashikzf chemicaletchingofcdtecdxhg1xteznxcd1xteandteinthehno3hclcitricacid AT bilevychyeo chemicaletchingofcdtecdxhg1xteznxcd1xteandteinthehno3hclcitricacid AT feichukpi chemicaletchingofcdtecdxhg1xteznxcd1xteandteinthehno3hclcitricacid AT tomashikvm chemicaletchingofcdtecdxhg1xteznxcd1xteandteinthehno3hclcitricacid AT tomashikzf hímíčnetravlennâcdtecdxhg1xteznxcd1xtetateurozčinahhno3hcllimonnakislota AT bilevychyeo hímíčnetravlennâcdtecdxhg1xteznxcd1xtetateurozčinahhno3hcllimonnakislota AT feichukpi hímíčnetravlennâcdtecdxhg1xteznxcd1xtetateurozčinahhno3hcllimonnakislota AT tomashikvm hímíčnetravlennâcdtecdxhg1xteznxcd1xtetateurozčinahhno3hcllimonnakislota |
| first_indexed |
2025-12-07T15:30:13Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:30:13Z |
| _version_ |
1850863950858551296 |