ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method

• Veröffentlicht in: Functional Materials
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Komar, V.K., Nalivaiko, D.P., Sulima, S.V., Zagoruiko, Yu.A., Fedorenko, O.A., Kovalenko, N.O., Chugai, O.N., Terzin, I.S., Gerasimenko, A.S., Dubina, N.G.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
• Schlagworte: Technology
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137732
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method // V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, S.V. Sulima, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko, O.N. Chugai, I.S. Terzin, A.S. Gerasimenko, N.G. Dubina // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 192-196. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

The melt growing of ZnSe crystals doped with Cr²⁺ for tunable mid-IR (2-3 μm) lasers has been described. A good quality crystal material with high homogeneity of both composition and physical properties has been obtained. The optimum concentration of dopant has been estimated. For an active element of 3 mm in thickness, it amounts to 2.3·10¹⁸ cm⁻³. The laser emitters have been manufactured operating with efficiency up to 70 % in continuous and pulse modes. Описано процес розплавного вирощування кристалів ZnSe, легованих домішкою Cr²⁺, для перестроюваних лазерів середнього ІЧ діапазону (2 ... 3 мкм). Отримано якісний кристалічний матеріал з високим ступенем однорідності складу та фізичних властивостей. Проведено оцінку оптимальної концентрації активаторної домішки у кристалах ZnSe, яка для активного лазерного елемента товщиною 3 мм склала 2,3·10¹⁸ см⁻³. Виготовлено лазерні випромінювачі, що працюють із ККД до 70 % у безперервному й імпульсному режимах. Описан процесс расплавного выращивания кристаллов ZnSe, легированных примесью Cr²⁺, для перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона (2 ... 3 мкм). Получен качественный кристаллический материал с высокой степенью однородности состава и физических свойств. Проведена оценка оптимальной концентрации активаторной примеси в кристаллах ZnSe, которая для активного лазерного элемента толщиной 3 мм составила 2.3·10¹⁸ см⁻³. Изготовлены лазерные излучатели, работающие с КПД до 70 % в непрерывном и импульсном режимах.