ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method

ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method

The melt growing of ZnSe crystals doped with Cr²⁺ for tunable mid-IR (2-3 μm) lasers has been described. A good quality crystal material with high homogeneity of both composition and physical properties has been obtained. The optimum concentration of dopant has been estimated. For an active element...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2009
Hauptverfasser: Komar, V.K., Nalivaiko, D.P., Sulima, S.V., Zagoruiko, Yu.A., Fedorenko, O.A., Kovalenko, N.O., Chugai, O.N., Terzin, I.S., Gerasimenko, A.S., Dubina, N.G.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
Schlagworte:
Technology
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137732
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method // V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, S.V. Sulima, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko, O.N. Chugai, I.S. Terzin, A.S. Gerasimenko, N.G. Dubina // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 192-196. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-137732
record_format dspace
spelling Komar, V.K.
Nalivaiko, D.P.
Sulima, S.V.
Zagoruiko, Yu.A.
Fedorenko, O.A.
Kovalenko, N.O.
Chugai, O.N.
Terzin, I.S.
Gerasimenko, A.S.
Dubina, N.G.
2018-06-17T15:43:33Z
2018-06-17T15:43:33Z
2009
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method // V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, S.V. Sulima, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko, O.N. Chugai, I.S. Terzin, A.S. Gerasimenko, N.G. Dubina // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 192-196. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137732
The melt growing of ZnSe crystals doped with Cr²⁺ for tunable mid-IR (2-3 μm) lasers has been described. A good quality crystal material with high homogeneity of both composition and physical properties has been obtained. The optimum concentration of dopant has been estimated. For an active element of 3 mm in thickness, it amounts to 2.3·10¹⁸ cm⁻³. The laser emitters have been manufactured operating with efficiency up to 70 % in continuous and pulse modes.
Описано процес розплавного вирощування кристалів ZnSe, легованих домішкою Cr²⁺, для перестроюваних лазерів середнього ІЧ діапазону (2 ... 3 мкм). Отримано якісний кристалічний матеріал з високим ступенем однорідності складу та фізичних властивостей. Проведено оцінку оптимальної концентрації активаторної домішки у кристалах ZnSe, яка для активного лазерного елемента товщиною 3 мм склала 2,3·10¹⁸ см⁻³. Виготовлено лазерні випромінювачі, що працюють із ККД до 70 % у безперервному й імпульсному режимах.
Описан процесс расплавного выращивания кристаллов ZnSe, легированных примесью Cr²⁺, для перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона (2 ... 3 мкм). Получен качественный кристаллический материал с высокой степенью однородности состава и физических свойств. Проведена оценка оптимальной концентрации активаторной примеси в кристаллах ZnSe, которая для активного лазерного элемента толщиной 3 мм составила 2.3·10¹⁸ см⁻³. Изготовлены лазерные излучатели, работающие с КПД до 70 % в непрерывном и импульсном режимах.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Technology
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
Лазерні кристали ZnSe:Cr²⁺, що вирощені методом Бриджмена
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
spellingShingle ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
Komar, V.K.
Nalivaiko, D.P.
Sulima, S.V.
Zagoruiko, Yu.A.
Fedorenko, O.A.
Kovalenko, N.O.
Chugai, O.N.
Terzin, I.S.
Gerasimenko, A.S.
Dubina, N.G.
Technology
title_short ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
title_full ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
title_fullStr ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
title_full_unstemmed ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
title_sort znse:cr²⁺ laser crystals grown by bridgman method
author Komar, V.K.
Nalivaiko, D.P.
Sulima, S.V.
Zagoruiko, Yu.A.
Fedorenko, O.A.
Kovalenko, N.O.
Chugai, O.N.
Terzin, I.S.
Gerasimenko, A.S.
Dubina, N.G.
author_facet Komar, V.K.
Nalivaiko, D.P.
Sulima, S.V.
Zagoruiko, Yu.A.
Fedorenko, O.A.
Kovalenko, N.O.
Chugai, O.N.
Terzin, I.S.
Gerasimenko, A.S.
Dubina, N.G.
topic Technology
topic_facet Technology
publishDate 2009
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Лазерні кристали ZnSe:Cr²⁺, що вирощені методом Бриджмена
description The melt growing of ZnSe crystals doped with Cr²⁺ for tunable mid-IR (2-3 μm) lasers has been described. A good quality crystal material with high homogeneity of both composition and physical properties has been obtained. The optimum concentration of dopant has been estimated. For an active element of 3 mm in thickness, it amounts to 2.3·10¹⁸ cm⁻³. The laser emitters have been manufactured operating with efficiency up to 70 % in continuous and pulse modes. Описано процес розплавного вирощування кристалів ZnSe, легованих домішкою Cr²⁺, для перестроюваних лазерів середнього ІЧ діапазону (2 ... 3 мкм). Отримано якісний кристалічний матеріал з високим ступенем однорідності складу та фізичних властивостей. Проведено оцінку оптимальної концентрації активаторної домішки у кристалах ZnSe, яка для активного лазерного елемента товщиною 3 мм склала 2,3·10¹⁸ см⁻³. Виготовлено лазерні випромінювачі, що працюють із ККД до 70 % у безперервному й імпульсному режимах. Описан процесс расплавного выращивания кристаллов ZnSe, легированных примесью Cr²⁺, для перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона (2 ... 3 мкм). Получен качественный кристаллический материал с высокой степенью однородности состава и физических свойств. Проведена оценка оптимальной концентрации активаторной примеси в кристаллах ZnSe, которая для активного лазерного элемента толщиной 3 мм составила 2.3·10¹⁸ см⁻³. Изготовлены лазерные излучатели, работающие с КПД до 70 % в непрерывном и импульсном режимах.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137732
citation_txt ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method // V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, S.V. Sulima, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko, O.N. Chugai, I.S. Terzin, A.S. Gerasimenko, N.G. Dubina // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 192-196. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT komarvk znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT nalivaikodp znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT sulimasv znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT zagoruikoyua znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT fedorenkooa znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT kovalenkono znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT chugaion znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT terzinis znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT gerasimenkoas znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT dubinang znsecr2lasercrystalsgrownbybridgmanmethod
AT komarvk lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT nalivaikodp lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT sulimasv lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT zagoruikoyua lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT fedorenkooa lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT kovalenkono lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT chugaion lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT terzinis lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT gerasimenkoas lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
AT dubinang lazerníkristaliznsecr2ŝoviroŝenímetodombridžmena
first_indexed 2025-12-07T13:23:53Z
last_indexed 2025-12-07T13:23:53Z
_version_ 1850856003172564993

Ähnliche Einträge