The influence of thermal conditions on perfection in GaₓIn₁-ₓSb single crystals

• Опубліковано в: Functional Materials
• Дата: 2005
• ISSN: 1027-5495
• Автори: Kushnarev, A.V., Kozhemyakin, G.N.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137743
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: The influence of thermal conditions on perfection in GaₓIn₁-ₓSb single crystals / A.V. Kushnarev, G.N. Kozhemyakin // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 401-404. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

The influence of the temperature gradient on the appearance of macro-cracks in growing GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czocralski method is shown. The decrease of axial temperature gradient dT/dz to 15 K/cm and radial dT/dx to 5 K/cm has allowed obtaining the single crystals without the cracks. The thermal field in Ga₀.₀₃In₀.₉₇Sb single crystal grown with use of experimental values of the temperature gradients is calculated. Показано вплив градiєнта температури у твердiй фазi на утворення трiщин пiд час вирощування монокристалiв твердих розчинiв GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральського. 3меншення осьового градiєнта температури у твердiй фазi dТ/dz до 15 K/cм i радiального dТ/dx до 5 K/cм дозволило витягувати монокристали без трiщин. Розраховано теплове поле у монокристалах твердих розчинiв Ga₀.₀₃In₀.₉₇Sb у процесi росту з використанням експериментальних значень градiєнтiв температури. Показано влияние градиента температуры в твердой фазе на трещинообразование при выращивании монокристаллов твердых растворов GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральского. Уменьшение осевого градиента температуры в твердой фазе dТ/dz до 15 K/cм и радиального dТ/dx до 5 K/cм позволило вытягивать монокристаллы без трещин. Расcчитано тепловое поле в монокристаллах твердых растворов Ga₀.₀₃In₀.₉₇Sb в процессе роста с использованием экспериментальных значений градиентов температуры.