Спектр андреевских состояний в несимметричном S₁NS₂-переходе
Розглянуто повністю асиметричний S₁NS₂-перехід з різними поверхнями Фермі у шарах. Побудовано трансфер-матрицю та знайдено спектр локалізованих станів. Ослаблення фазової залежності із зростанням відмінності імпульсів Фермі у шарах має повільний степеневий характер. Рассмотрен полностью асимметричны...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137766 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Спектр андреевских состояний в несимметричном S₁NS₂-переходе / Ю.Г. Пейсахович, А.А. Штыгашев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 5. — С. 455-458. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Розглянуто повністю асиметричний S₁NS₂-перехід з різними поверхнями Фермі у шарах. Побудовано трансфер-матрицю та знайдено спектр локалізованих станів. Ослаблення фазової залежності із зростанням відмінності імпульсів Фермі у шарах має повільний степеневий характер.
Рассмотрен полностью асимметричный S₁NS₂-переход с разными поверхностями Ферми в слоях. Построена трансфер-матрица и найден спектр локализованных состояний. Ослабление фазовой зависимости с ростом различия импульсов Ферми в слоях имеет медленный степенной характер.
The completely asymmetric S₁NS₂-junction with different Fermi surfaces in the layers is under consideration. A transfer-matrix is constructed and a localized state spectrum is obtained. The reduction of the phase dependence with increasing the difference in Fermi momenta in the layers has a slow power character.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |