Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm³⁺ в соединении KTm(MoO₄)₂

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1999
• Hauptverfasser: Кобец, М.И., Курносов, В.В., Пащенко, В.А., Хацько, Е.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
• Schlagworte: Кpаткие сообщения
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137792
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm³⁺ в соединении KTm(MoO₄)₂ / М.И. Кобец, В.В. Курносов, В.А. Пащенко, Е.Н. Хацько // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 5. — С. 512-514. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

С ипользованием комплексной методики измерений восстановлена структура электронных энергетических уровней иона Tm³⁺ в кристалле KTm(MoO₄)₂ в диапазоне частот 0-300см⁻¹. Показано, что первое возбужденное состояние находится очень близко к основному (ΔE = 2,3 см⁻¹). З використанням комплексної методики вимірювання було відновлено структуру електронних енергетичних рівнів иону Tm³⁺ в кристалі KTm(MoO₄)₂ в діапазоні частот 0-300см⁻¹. Показано, що перший збуджений стан знаходиться дуже близько до основного (ΔE = 2,3 см⁻¹). The structure of electron energy levels of a Tm³⁺ion in the KTm(MoO₄)₂ crystal was reconstructed with the use of combined measurement equipments in the frequency range 0-300см⁻¹. It is shown that the first excited level is very close to the ground state (ΔE = 2,3 cm⁻¹).