Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
Рассмотрено взаимодействие двухслойной электронной системы в гетероструктуре AlGaAs-GaAs-AlGaAs с неоднородными упругими модами, локализованными в слое GaAs. Для волн с волновым вектором, направленным вдоль оси [110], и вектором поляризации, лежащим в плоскости (110), вычислена зависимость константы...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1999 |
| Main Author: | Филь, Д.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/137870 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 6. — С. 625-632. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
by: Krukovsky, S.I., et al.
Published: (2003)
by: Krukovsky, S.I., et al.
Published: (2003)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
by: Krukovskiy, S. I., et al.
Published: (2004)
by: Krukovskiy, S. I., et al.
Published: (2004)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
by: N. M. Vakiv, et al.
Published: (2014)
by: N. M. Vakiv, et al.
Published: (2014)
Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
by: Горбунов, А.В., et al.
Published: (2016)
by: Горбунов, А.В., et al.
Published: (2016)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
by: P. V. Petrov, et al.
Published: (2015)
by: P. V. Petrov, et al.
Published: (2015)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
by: Konakova, R.V., et al.
Published: (2002)
by: Konakova, R.V., et al.
Published: (2002)
Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2014)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2014)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2014)
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
by: Петров, П.В., et al.
Published: (2015)
by: Петров, П.В., et al.
Published: (2015)
Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
by: Филь, Д.В.
Published: (2001)
by: Филь, Д.В.
Published: (2001)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014)
Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах
by: Vainberg, V. V., et al.
Published: (2018)
by: Vainberg, V. V., et al.
Published: (2018)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D.M., et al.
Published: (2008)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011)
Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
by: I. P. Storozhenko
Published: (2015)
by: I. P. Storozhenko
Published: (2015)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2006)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
by: Стороженко, И.П.
Published: (2015)
by: Стороженко, И.П.
Published: (2015)
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
by: Вакуленко, О.В., et al.
Published: (2011)
by: Вакуленко, О.В., et al.
Published: (2011)
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
by: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Published: (2021)
by: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Published: (2021)
Effects of LO-phonon confinement on electron mobility in GaAs-Al₀.₄₅ Ga₀.₅₅As superlattice
by: Abouelaoualim, D.
Published: (2004)
by: Abouelaoualim, D.
Published: (2004)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
by: H. Sghaier, et al.
Published: (2012)
by: H. Sghaier, et al.
Published: (2012)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Гистерезис и обменная анизотропия в спиновых стеклах на основе разбавленных Li-Ga-шпинелей
by: Ефимова, Н.Н., et al.
Published: (1996)
by: Ефимова, Н.Н., et al.
Published: (1996)
Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice
by: Abouelaoualim, D.
Published: (2005)
by: Abouelaoualim, D.
Published: (2005)
Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
by: Belyaev, A.A., et al.
Published: (1999)
by: Belyaev, A.A., et al.
Published: (1999)
Similar Items
-
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017) -
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999) -
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017) -
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003) -
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)