Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures

Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2004
Автори: Druzhinin, A.A., Maryamova, I.I., Pavlovskyy, I.V., Palewski, T.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138789
record_format dspace
spelling Druzhinin, A.A.
Maryamova, I.I.
Pavlovskyy, I.V.
Palewski, T.
2018-06-19T15:18:13Z
2018-06-19T15:18:13Z
2004
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789
Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature has been investigated. The extremely high gauge factor 5.7-105 at 4.2 K has been found in moderately doped silicon microcrystals with boron concentration 3-1018 cm-3 in the vicinity of metal-insulator transition at the insulating side. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors operating, at cryogenic temperatures is discussed.
Исследованы пьезорезистивные свойства нитевидных кристаллов кремния, легированных бором, в диапазоне температур 1,7-300 К. Гигантский пьезорезистивный эффект в нитевидных кристаллах p-Si наблюдался вблизи перехода металл-изолятор при гелиевых температурах. Исследовалась зависимость коэффициента тензочуствительнос-ти от концентрации примеси и температуры. Экстремально высокий коэффициент тен-зочувствительности 5,7-105 при 4,2 К был обнаружен в микрокристаллах кремния с промежуточным уровнем легирования с концентрацией бора 3-1018 cм-3 вблизи перехода металл-изолятор со стороны изолятора. Обсуждается возможность использования гигантского пьезосопротивления для создания высокочувствительных сенсоров механических величин, работоспособных при криогенных температурах.
Досліджєно п’єзорєзистивні властивості ниткоподібних кристалів крємнію, легованих бором, в діапазоні температур 1,7-300 К. Гігантський п’єзорезистивний ефект у ниткоподібних кристалах p-Si спостерігався поблизу переходу метал-ізолятор при гелієвих температурах. Досліджено залежність коефіцієнту тензочутливості від концетрації домішок і температури. Екстремально високий коефіцієнт тензочутливості 5,7-105 при 4,2 К був знайдений у мікрокристалах кремнію з проміжним рівнем легування з концентрацією бору 3-1018 cм-3 поблизу переходу метал-ізолятор з боку ізолятора. Обговорюється можливість використання гігантського п’єзоопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
П’єзорєзистивні властивості легованих бором ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
spellingShingle Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
Druzhinin, A.A.
Maryamova, I.I.
Pavlovskyy, I.V.
Palewski, T.
title_short Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
title_full Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
title_fullStr Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
title_full_unstemmed Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
title_sort piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
author Druzhinin, A.A.
Maryamova, I.I.
Pavlovskyy, I.V.
Palewski, T.
author_facet Druzhinin, A.A.
Maryamova, I.I.
Pavlovskyy, I.V.
Palewski, T.
publishDate 2004
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt П’єзорєзистивні властивості легованих бором ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах
description Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature has been investigated. The extremely high gauge factor 5.7-105 at 4.2 K has been found in moderately doped silicon microcrystals with boron concentration 3-1018 cm-3 in the vicinity of metal-insulator transition at the insulating side. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors operating, at cryogenic temperatures is discussed. Исследованы пьезорезистивные свойства нитевидных кристаллов кремния, легированных бором, в диапазоне температур 1,7-300 К. Гигантский пьезорезистивный эффект в нитевидных кристаллах p-Si наблюдался вблизи перехода металл-изолятор при гелиевых температурах. Исследовалась зависимость коэффициента тензочуствительнос-ти от концентрации примеси и температуры. Экстремально высокий коэффициент тен-зочувствительности 5,7-105 при 4,2 К был обнаружен в микрокристаллах кремния с промежуточным уровнем легирования с концентрацией бора 3-1018 cм-3 вблизи перехода металл-изолятор со стороны изолятора. Обсуждается возможность использования гигантского пьезосопротивления для создания высокочувствительных сенсоров механических величин, работоспособных при криогенных температурах. Досліджєно п’єзорєзистивні властивості ниткоподібних кристалів крємнію, легованих бором, в діапазоні температур 1,7-300 К. Гігантський п’єзорезистивний ефект у ниткоподібних кристалах p-Si спостерігався поблизу переходу метал-ізолятор при гелієвих температурах. Досліджено залежність коефіцієнту тензочутливості від концетрації домішок і температури. Екстремально високий коефіцієнт тензочутливості 5,7-105 при 4,2 К був знайдений у мікрокристалах кремнію з проміжним рівнем легування з концентрацією бору 3-1018 cм-3 поблизу переходу метал-ізолятор з боку ізолятора. Обговорюється можливість використання гігантського п’єзоопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789
citation_txt Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT druzhininaa piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures
AT maryamovaii piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures
AT pavlovskyyiv piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures
AT palewskit piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures
AT druzhininaa pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah
AT maryamovaii pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah
AT pavlovskyyiv pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah
AT palewskit pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah
first_indexed 2025-12-07T17:28:32Z
last_indexed 2025-12-07T17:28:32Z
_version_ 1850871395237494784

Схожі ресурси