Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862711109685870592 |
|---|---|
| author | Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. |
| author_facet | Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. |
| citation_txt | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature has been investigated. The extremely high gauge factor 5.7-105 at 4.2 K has been found in moderately doped silicon microcrystals with boron concentration 3-1018 cm-3 in the vicinity of metal-insulator transition at the insulating side. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors operating, at cryogenic temperatures is discussed.
Исследованы пьезорезистивные свойства нитевидных кристаллов кремния, легированных бором, в диапазоне температур 1,7-300 К. Гигантский пьезорезистивный эффект в нитевидных кристаллах p-Si наблюдался вблизи перехода металл-изолятор при гелиевых температурах. Исследовалась зависимость коэффициента тензочуствительнос-ти от концентрации примеси и температуры. Экстремально высокий коэффициент тен-зочувствительности 5,7-105 при 4,2 К был обнаружен в микрокристаллах кремния с промежуточным уровнем легирования с концентрацией бора 3-1018 cм-3 вблизи перехода металл-изолятор со стороны изолятора. Обсуждается возможность использования гигантского пьезосопротивления для создания высокочувствительных сенсоров механических величин, работоспособных при криогенных температурах.
Досліджєно п’єзорєзистивні властивості ниткоподібних кристалів крємнію, легованих бором, в діапазоні температур 1,7-300 К. Гігантський п’єзорезистивний ефект у ниткоподібних кристалах p-Si спостерігався поблизу переходу метал-ізолятор при гелієвих температурах. Досліджено залежність коефіцієнту тензочутливості від концетрації домішок і температури. Екстремально високий коефіцієнт тензочутливості 5,7-105 при 4,2 К був знайдений у мікрокристалах кремнію з проміжним рівнем легування з концентрацією бору 3-1018 cм-3 поблизу переходу метал-ізолятор з боку ізолятора. Обговорюється можливість використання гігантського п’єзоопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:28:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138789 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:28:32Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. 2018-06-19T15:18:13Z 2018-06-19T15:18:13Z 2004 Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789 Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature has been investigated. The extremely high gauge factor 5.7-105 at 4.2 K has been found in moderately doped silicon microcrystals with boron concentration 3-1018 cm-3 in the vicinity of metal-insulator transition at the insulating side. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors operating, at cryogenic temperatures is discussed. Исследованы пьезорезистивные свойства нитевидных кристаллов кремния, легированных бором, в диапазоне температур 1,7-300 К. Гигантский пьезорезистивный эффект в нитевидных кристаллах p-Si наблюдался вблизи перехода металл-изолятор при гелиевых температурах. Исследовалась зависимость коэффициента тензочуствительнос-ти от концентрации примеси и температуры. Экстремально высокий коэффициент тен-зочувствительности 5,7-105 при 4,2 К был обнаружен в микрокристаллах кремния с промежуточным уровнем легирования с концентрацией бора 3-1018 cм-3 вблизи перехода металл-изолятор со стороны изолятора. Обсуждается возможность использования гигантского пьезосопротивления для создания высокочувствительных сенсоров механических величин, работоспособных при криогенных температурах. Досліджєно п’єзорєзистивні властивості ниткоподібних кристалів крємнію, легованих бором, в діапазоні температур 1,7-300 К. Гігантський п’єзорезистивний ефект у ниткоподібних кристалах p-Si спостерігався поблизу переходу метал-ізолятор при гелієвих температурах. Досліджено залежність коефіцієнту тензочутливості від концетрації домішок і температури. Екстремально високий коефіцієнт тензочутливості 5,7-105 при 4,2 К був знайдений у мікрокристалах кремнію з проміжним рівнем легування з концентрацією бору 3-1018 cм-3 поблизу переходу метал-ізолятор з боку ізолятора. Обговорюється можливість використання гігантського п’єзоопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures П’єзорєзистивні властивості легованих бором ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах Article published earlier |
| spellingShingle | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. |
| title | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_alt | П’єзорєзистивні властивості легованих бором ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах |
| title_full | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_fullStr | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_full_unstemmed | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_short | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_sort | piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789 |
| work_keys_str_mv | AT druzhininaa piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT maryamovaii piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT pavlovskyyiv piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT palewskit piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT druzhininaa pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah AT maryamovaii pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah AT pavlovskyyiv pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah AT palewskit pêzorêzistivnívlastivostílegovanihboromnitkopodíbnihkristalívkremníûprikríogennihtemperaturah |