Зображення обкладинки

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures

Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2004
Автори:	Druzhinin, A.A., Maryamova, I.I., Pavlovskyy, I.V., Palewski, T.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138789
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014)

Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)

Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Auger electron spectroscopy of boron nitride whiskers produced in optical furnace without catalysts
за авторством: Sartinska, L.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of doping on the lattice parameter and properties of cubic boron nitride
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Critical fields and features of electromagnetic transport of Bi2Se3 whiskers at low temperatures
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: A. O. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of HfB2 whiskers
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Piezoresistive sensor composites with oriented 1D structure of conducive filler
за авторством: V. V. Levchenko, та інші
Опубліковано: (2016)