Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model
Basing on the model before constructed that describes SB of thin semiconductor film included in an electronic circuit, the breakdown time and the localization size are estimated. These estimations are obtained in the frame of the one-dimensional model basing on the parabolic equations maximum princi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138794 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model / Yu.P.Virchenko, A.A.Vodyanitskii // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 236-240. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862543120735928320 |
|---|---|
| author | Virchenko, Yu.P. Vodyanitskii, Yu.P. |
| author_facet | Virchenko, Yu.P. Vodyanitskii, Yu.P. |
| citation_txt | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model / Yu.P.Virchenko, A.A.Vodyanitskii // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 236-240. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Basing on the model before constructed that describes SB of thin semiconductor film included in an electronic circuit, the breakdown time and the localization size are estimated. These estimations are obtained in the frame of the one-dimensional model basing on the parabolic equations maximum principle using some standard solutions with the sharpening.
На основе ранее построенной модели, описывающей тепловой пробой тонкой полупроводниковой плёнки, входящей в состав электронной цепи, оценивается время пробоя и размер области локализации. Эти оценки получаются, для одномерной модели, на основе принципа максимума для параболических уравнений посредством сравнения с эталонными обостряющимися решениями.
На основі побудованої раніше моделі, яка описує тепловий пробій тонкої напівпровідникової плівки, включеної в електронне коло, оцінено час пробою та розмір області локалізації. Ці оцінки одержано в рамках одновимірної моделі на основі параболічних рівнянь шляхом зіставлення з еталонними рішеннями, які загострюються.
|
| first_indexed | 2025-11-24T21:39:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138794 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T21:39:57Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Virchenko, Yu.P. Vodyanitskii, Yu.P. 2018-06-19T15:25:27Z 2018-06-19T15:25:27Z 2004 Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model / Yu.P.Virchenko, A.A.Vodyanitskii // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 236-240. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138794 Basing on the model before constructed that describes SB of thin semiconductor film included in an electronic circuit, the breakdown time and the localization size are estimated. These estimations are obtained in the frame of the one-dimensional model basing on the parabolic equations maximum principle using some standard solutions with the sharpening. На основе ранее построенной модели, описывающей тепловой пробой тонкой полупроводниковой плёнки, входящей в состав электронной цепи, оценивается время пробоя и размер области локализации. Эти оценки получаются, для одномерной модели, на основе принципа максимума для параболических уравнений посредством сравнения с эталонными обостряющимися решениями. На основі побудованої раніше моделі, яка описує тепловий пробій тонкої напівпровідникової плівки, включеної в електронне коло, оцінено час пробою та розмір області локалізації. Ці оцінки одержано в рамках одновимірної моделі на основі параболічних рівнянь шляхом зіставлення з еталонними рішеннями, які загострюються. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model Локалізація тепла та формування структури теплового пробою в напівпровідникових матеріалах. III. Аналіз одновимірної моделі Article published earlier |
| spellingShingle | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model Virchenko, Yu.P. Vodyanitskii, Yu.P. |
| title | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model |
| title_alt | Локалізація тепла та формування структури теплового пробою в напівпровідникових матеріалах. III. Аналіз одновимірної моделі |
| title_full | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model |
| title_fullStr | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model |
| title_full_unstemmed | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model |
| title_short | Heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. III. Analysis of the one-dimensional model |
| title_sort | heat localization and formation of secondary breakdown structure in semiconductor materials. iii. analysis of the one-dimensional model |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138794 |
| work_keys_str_mv | AT virchenkoyup heatlocalizationandformationofsecondarybreakdownstructureinsemiconductormaterialsiiianalysisoftheonedimensionalmodel AT vodyanitskiiyup heatlocalizationandformationofsecondarybreakdownstructureinsemiconductormaterialsiiianalysisoftheonedimensionalmodel AT virchenkoyup lokalízacíâteplataformuvannâstrukturiteplovogoproboûvnapívprovídnikovihmateríalahiiianalízodnovimírnoímodelí AT vodyanitskiiyup lokalízacíâteplataformuvannâstrukturiteplovogoproboûvnapívprovídnikovihmateríalahiiianalízodnovimírnoímodelí |