Photoelectric memory in 6H-SiC
In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138804 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862730918302580736 |
|---|---|
| author | Duisenbaev, M. |
| author_facet | Duisenbaev, M. |
| citation_txt | Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I ~ Vn, where n = 4.3. Optical and temperature quenching of photoconductivity were observed. Within a narrow range of light intensity, the lux-current characteristic shows a superlinear dependence with к = 4 then passing into a sublinear one with к = 0.7. The observable maximum relaxation time of residual conductivity is т = 5-104 s. Under illumination with light of energy E = 1.1 to 2 eV, the structure exhibits a sharp reduction of т. As the voltage applied to the structure increases, т decreases.
В исследованных структурах наблюдается явление фотоэлектрической памяти, связанное с возрастанием темнового тока на 3 порядка и сохраняющееся в течение длительного времени после освещения структуры светом с энергией Е = 3 эВ при Т = 300°K. Вольт-амперная характеристика I ~ Vа, где n = 4.3. Наблюдались оптическое и температурное гашение фотопроводимости. В узкой области изменения интенсивности света на люкс-амперной характеристике имеется суперлинейная зависимость с показателем к = 4, а затем переходящей в сублинейный участок с к = 0.7. Максимально наблюдаемое время релаксации остаточной проводимости т = 5-104 с. Освещение структуры светом с энергией Е = 1.1-2 эВ приводит к резкому уменьшению т. С увеличением приложенного напряжения к структуре т уменьшается.
У досліджєних структурах спостерігається явище фотоелектричної пам’яті пов’язане зі зростанням темнового струму на 3 порядки, яке зберігається протягом тривалого часу після освітлення структури світлом з енергією E = 3 еВ при T = 300 К. Вольт-ам-перна характеристика I ~ Vі, де n = 4.3. Спостерігалося оптичне й температурне гасіння фотопровідності. У вузькій області зміни інтенсивності світла на люкс-амперній характеристиці має місце суперлінійна залежність з показником к = 4, яка потім переходить у сублінійну дільницю з к = 0.7. Максимальний спостережений час релаксації залишкової провідності т = 5-104 с. Освітлення структури світлом з енергією E = 1,12 еВ викликає різке зменшення т. При зростанні прикладеної до структури напруги т зменшується.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:22:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138804 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T19:22:50Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Duisenbaev, M. 2018-06-19T15:29:25Z 2018-06-19T15:29:25Z 2004 Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138804 In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I ~ Vn, where n = 4.3. Optical and temperature quenching of photoconductivity were observed. Within a narrow range of light intensity, the lux-current characteristic shows a superlinear dependence with к = 4 then passing into a sublinear one with к = 0.7. The observable maximum relaxation time of residual conductivity is т = 5-104 s. Under illumination with light of energy E = 1.1 to 2 eV, the structure exhibits a sharp reduction of т. As the voltage applied to the structure increases, т decreases. В исследованных структурах наблюдается явление фотоэлектрической памяти, связанное с возрастанием темнового тока на 3 порядка и сохраняющееся в течение длительного времени после освещения структуры светом с энергией Е = 3 эВ при Т = 300°K. Вольт-амперная характеристика I ~ Vа, где n = 4.3. Наблюдались оптическое и температурное гашение фотопроводимости. В узкой области изменения интенсивности света на люкс-амперной характеристике имеется суперлинейная зависимость с показателем к = 4, а затем переходящей в сублинейный участок с к = 0.7. Максимально наблюдаемое время релаксации остаточной проводимости т = 5-104 с. Освещение структуры светом с энергией Е = 1.1-2 эВ приводит к резкому уменьшению т. С увеличением приложенного напряжения к структуре т уменьшается. У досліджєних структурах спостерігається явище фотоелектричної пам’яті пов’язане зі зростанням темнового струму на 3 порядки, яке зберігається протягом тривалого часу після освітлення структури світлом з енергією E = 3 еВ при T = 300 К. Вольт-ам-перна характеристика I ~ Vі, де n = 4.3. Спостерігалося оптичне й температурне гасіння фотопровідності. У вузькій області зміни інтенсивності світла на люкс-амперній характеристиці має місце суперлінійна залежність з показником к = 4, яка потім переходить у сублінійну дільницю з к = 0.7. Максимальний спостережений час релаксації залишкової провідності т = 5-104 с. Освітлення структури світлом з енергією E = 1,12 еВ викликає різке зменшення т. При зростанні прикладеної до структури напруги т зменшується. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Photoelectric memory in 6H-SiC Фотоелектрична пам’ять в 6H-SiC Article published earlier |
| spellingShingle | Photoelectric memory in 6H-SiC Duisenbaev, M. |
| title | Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_alt | Фотоелектрична пам’ять в 6H-SiC |
| title_full | Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_fullStr | Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_full_unstemmed | Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_short | Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_sort | photoelectric memory in 6h-sic |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138804 |
| work_keys_str_mv | AT duisenbaevm photoelectricmemoryin6hsic AT duisenbaevm fotoelektričnapamâtʹv6hsic |