Photoelectric memory in 6H-SiC
In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автор: | Duisenbaev, M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138804 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation
за авторством: Jakse, N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Jakse, N., та інші
Опубліковано: (2011)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)
Surface polaritons in 6H-SiC single crystals placed in a strong uniform magnetic field
за авторством: Ye. F. Venher, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ye. F. Venher, та інші
Опубліковано: (2010)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
Схожі ресурси
-
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002) -
Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation
за авторством: Jakse, N., та інші
Опубліковано: (2011) -
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011) -
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011) -
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)