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Photoelectric memory in 6H-SiC

In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Functional Materials
Datum:	2004
1. Verfasser:	Duisenbaev, M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138804
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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