Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138817 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded that the obtained electrical anomalies are connected with pinhole-like defects originated from the break of the epitaxial layer during preparation.
Исследованы электрические характеристики переходов Шоттки в Au/lnP p-типа с наночастицами Pt, введенными в эпитаксиальный слой; результаты сопоставлены с характеристиками образцов сравнения. Обнаружены различные аномалии, некоторые из них аналогичны поведению структур квантовых точек. Сделан, однако, вывод, что наблюдаемые аномалии связаны с дефектами точечного типа, обусловленными разрывами эпитаксиального слоя в процессе его нанесения.
Досліджєно єлєктричні характеристики пєрєходів Шотткі в Au/lnP p-типу з наночас-тинками Pt, введеними в епітаксійний шар; результати зіставлено з характеристиками зразків порівняння. Виявлено різноманітні аномалії, деякі з них аналогічні поведінці структур квантових точок. Зроблено, однак, висновок, що виявлені аномалії пов’язані з дефектами точкового типу, обумовленими розривами епітаксійного шару в процесі його нанесення.
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-5495 |