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Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study

Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Functional Materials
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Horvath, Zs.J., Toth, A.L., Rakovics, V., Paszti, Z., Peto, G.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138817
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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