Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
Electrical characteristics of p-type Au/lnP Schottky junctions with Pt nanoparticles sandwiched in epitaxial layer have been studied and compared with reference samples. Various anomalies have been obtained, some of them are similar to the behavior of quantum dot structures. However, it is concluded...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138817 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study / Zs.J. Horvath, A.L. Toth, V. Rakovics, Z. Paszti, G. Peto // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 376-380. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)
Scanning Helium ion microscope
за авторством: Ju. V. Petrov
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ju. V. Petrov
Опубліковано: (2012)
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Multifunction Scanning Probe Microscope with Diamond Tip. Nanotechnological Research at Ambient Conditions
за авторством: O. H. Lysenko
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. H. Lysenko
Опубліковано: (2012)
Theoretical study of tunnel current behaviour in scanning probe microscope with diamond tip
за авторством: V. Grushko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. Grushko, та інші
Опубліковано: (2011)
Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010)
Assessment of the resolution of scanning tunneling microscope with a tip of a boron-doped diamond
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Calculations of the electronic structure of gold monolayers with linear defects based on Density Functional Theory (DFT). Study of monolayers of gold using a scanning tunneling microscope
за авторством: Romansky Anastas, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Romansky Anastas, та інші
Опубліковано: (2025)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
Preparation of Samples of Metals and Alloys Based on Iron for Research with EBSD in a Scanning Electron Microscope
за авторством: E. V. Vertsanova
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Vertsanova
Опубліковано: (2013)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)
The use of scanning tunnel microscope with a diamond tip to study structural features of ta-C films
за авторством: M. A. Tsysar
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. A. Tsysar
Опубліковано: (2012)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2002)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)
Resonant transparency of a photonic crystal with a defect of layered superconducto
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2017)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
Modelling of Epitaxial Growth of Diamond Crystals in High-Carbon Fe—Al Alloys
за авторством: Mekhed, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mekhed, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Modelling of epitaxial growth of diamond crystals in high-carbon Fe–Al alloys
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)