Horvath, Z., Orlov, L., Ivina, N., Demidov, E., Vdovin, V., Adam, M., . . . Yakunin, S. (2004). Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures. НТК «Інститут монокристалів» НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Horvath, Zs.J, et al. Effect of Dislocations in Relaxed MBE SiGe Layers on the Electrical Behavior of Si/SiGe Heterostructures. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2004.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Horvath, Zs.J, et al. Effect of Dislocations in Relaxed MBE SiGe Layers on the Electrical Behavior of Si/SiGe Heterostructures. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2004.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.