Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures

Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anoma...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2004
Main Authors: Horvath, Zs.J., Orlov, L.K., Ivina, N.L., Demidov, E.S., Vdovin, V.I., Adam, M., Szabo, I., Dozsa, L., Pashaev, E.M., Ivanov, Yu.M., Yakunin, S.N.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138819
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138819
record_format dspace
spelling Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
2018-06-19T15:38:10Z
2018-06-19T15:38:10Z
2004
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138819
Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anomalies, the electrical measurements provide useful and reliable information on the structures.
Исследованы дефекты в гетероструктурах Si/SiGe и их электрические характеристики. В эпитаксиальных слоях методом просвечивающей электронной микроскопии поперечных сечений обнаружены дислокации несоответствия. Эти дефекты вызывают аномалии в электрических характеристиках. Показано, что, несмотря на эти аномалии, электрические измерения обеспечивают полезную и надежную информацию о структурах.
Досліджєно дефекти у гетероструктурах Si/SiGe та їх єлєктричні характеристики. В епітаксиальних шарах методом просвічувальної електронної мікроскопії поперечних перерізів виявлено дислокації невідповідності. Ці дефекти спричиняють аномалії в електричних характеристиках. Показано, що, незважаючи на ці аномалії, електричні вимірювання забезпечують корисну та надійну інформацію про структури.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
плив дислокацій y релаксованих шарах SiGe на електричш характеристики гетероструктур Si/SiGe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
spellingShingle Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
title_short Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_full Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_fullStr Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_full_unstemmed Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
title_sort effect of dislocations in relaxed mbe sige layers on the electrical behavior of si/sige heterostructures
author Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
author_facet Horvath, Zs.J.
Orlov, L.K.
Ivina, N.L.
Demidov, E.S.
Vdovin, V.I.
Adam, M.
Szabo, I.
Dozsa, L.
Pashaev, E.M.
Ivanov, Yu.M.
Yakunin, S.N.
publishDate 2004
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt плив дислокацій y релаксованих шарах SiGe на електричш характеристики гетероструктур Si/SiGe
description Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anomalies, the electrical measurements provide useful and reliable information on the structures. Исследованы дефекты в гетероструктурах Si/SiGe и их электрические характеристики. В эпитаксиальных слоях методом просвечивающей электронной микроскопии поперечных сечений обнаружены дислокации несоответствия. Эти дефекты вызывают аномалии в электрических характеристиках. Показано, что, несмотря на эти аномалии, электрические измерения обеспечивают полезную и надежную информацию о структурах. Досліджєно дефекти у гетероструктурах Si/SiGe та їх єлєктричні характеристики. В епітаксиальних шарах методом просвічувальної електронної мікроскопії поперечних перерізів виявлено дислокації невідповідності. Ці дефекти спричиняють аномалії в електричних характеристиках. Показано, що, незважаючи на ці аномалії, електричні вимірювання забезпечують корисну та надійну інформацію про структури.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138819
citation_txt Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT horvathzsj effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT orlovlk effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT ivinanl effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT demidoves effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT vdovinvi effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT adamm effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT szaboi effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT dozsal effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT pashaevem effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT ivanovyum effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT yakuninsn effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures
AT horvathzsj plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT orlovlk plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT ivinanl plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT demidoves plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT vdovinvi plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT adamm plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT szaboi plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT dozsal plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT pashaevem plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT ivanovyum plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
AT yakuninsn plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige
first_indexed 2025-11-30T17:01:00Z
last_indexed 2025-11-30T17:01:00Z
_version_ 1850858251208359936

Similar Items