Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anoma...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138819 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862635333713133568 |
|---|---|
| author | Horvath, Zs.J. Orlov, L.K. Ivina, N.L. Demidov, E.S. Vdovin, V.I. Adam, M. Szabo, I. Dozsa, L. Pashaev, E.M. Ivanov, Yu.M. Yakunin, S.N. |
| author_facet | Horvath, Zs.J. Orlov, L.K. Ivina, N.L. Demidov, E.S. Vdovin, V.I. Adam, M. Szabo, I. Dozsa, L. Pashaev, E.M. Ivanov, Yu.M. Yakunin, S.N. |
| citation_txt | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anomalies, the electrical measurements provide useful and reliable information on the structures.
Исследованы дефекты в гетероструктурах Si/SiGe и их электрические характеристики. В эпитаксиальных слоях методом просвечивающей электронной микроскопии поперечных сечений обнаружены дислокации несоответствия. Эти дефекты вызывают аномалии в электрических характеристиках. Показано, что, несмотря на эти аномалии, электрические измерения обеспечивают полезную и надежную информацию о структурах.
Досліджєно дефекти у гетероструктурах Si/SiGe та їх єлєктричні характеристики. В епітаксиальних шарах методом просвічувальної електронної мікроскопії поперечних перерізів виявлено дислокації невідповідності. Ці дефекти спричиняють аномалії в електричних характеристиках. Показано, що, незважаючи на ці аномалії, електричні вимірювання забезпечують корисну та надійну інформацію про структури.
|
| first_indexed | 2025-11-30T17:01:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138819 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-30T17:01:00Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Horvath, Zs.J. Orlov, L.K. Ivina, N.L. Demidov, E.S. Vdovin, V.I. Adam, M. Szabo, I. Dozsa, L. Pashaev, E.M. Ivanov, Yu.M. Yakunin, S.N. 2018-06-19T15:38:10Z 2018-06-19T15:38:10Z 2004 Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures / Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, N.L. Ivina, E.S. Demidov, V.I. Vdovin , M. Adam, I. Szabo, L. Dozsa, E.M. Pashaev, Yu.M. Ivanov, S.N. Yakunin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 381-385. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138819 Defects in Si/SiGe heterostructures and electrical behavior thereof have been studied. Misfit dislocations were observed in the epitaxial layers using cross-sectional transmission electron microscopy. These defects cause anomalies in the electrical behavior. It has been shown that, in spite of anomalies, the electrical measurements provide useful and reliable information on the structures. Исследованы дефекты в гетероструктурах Si/SiGe и их электрические характеристики. В эпитаксиальных слоях методом просвечивающей электронной микроскопии поперечных сечений обнаружены дислокации несоответствия. Эти дефекты вызывают аномалии в электрических характеристиках. Показано, что, несмотря на эти аномалии, электрические измерения обеспечивают полезную и надежную информацию о структурах. Досліджєно дефекти у гетероструктурах Si/SiGe та їх єлєктричні характеристики. В епітаксиальних шарах методом просвічувальної електронної мікроскопії поперечних перерізів виявлено дислокації невідповідності. Ці дефекти спричиняють аномалії в електричних характеристиках. Показано, що, незважаючи на ці аномалії, електричні вимірювання забезпечують корисну та надійну інформацію про структури. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures плив дислокацій y релаксованих шарах SiGe на електричш характеристики гетероструктур Si/SiGe Article published earlier |
| spellingShingle | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures Horvath, Zs.J. Orlov, L.K. Ivina, N.L. Demidov, E.S. Vdovin, V.I. Adam, M. Szabo, I. Dozsa, L. Pashaev, E.M. Ivanov, Yu.M. Yakunin, S.N. |
| title | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures |
| title_alt | плив дислокацій y релаксованих шарах SiGe на електричш характеристики гетероструктур Si/SiGe |
| title_full | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures |
| title_fullStr | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures |
| title_full_unstemmed | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures |
| title_short | Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures |
| title_sort | effect of dislocations in relaxed mbe sige layers on the electrical behavior of si/sige heterostructures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138819 |
| work_keys_str_mv | AT horvathzsj effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT orlovlk effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT ivinanl effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT demidoves effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT vdovinvi effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT adamm effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT szaboi effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT dozsal effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT pashaevem effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT ivanovyum effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT yakuninsn effectofdislocationsinrelaxedmbesigelayersontheelectricalbehaviorofsisigeheterostructures AT horvathzsj plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT orlovlk plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT ivinanl plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT demidoves plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT vdovinvi plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT adamm plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT szaboi plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT dozsal plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT pashaevem plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT ivanovyum plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige AT yakuninsn plivdislokacíiyrelaksovanihšarahsigenaelektričšharakteristikigeterostruktursisige |