Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects

The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2005
Main Authors: Dubovyi, V.K., Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ya., Tartachnik, V.P.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138859
record_format dspace
spelling Dubovyi, V.K.
Kanevsky, S.O.
Litovchenko, P.G.
Opilat, V.Ya.
Tartachnik, V.P.
2018-06-19T16:22:26Z
2018-06-19T16:22:26Z
2005
Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859
The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (VAC) at temperatures lower than 90 К. The existence of oscillations are associated with the capturing of non-equilibrium current carriers bу traps followed bу thermal destruction thereof. A characteristic VAC feature of the neutron-irradiated samples is the occurrence of an N-like of negative differential resistance. This deviation from the VAC monotonicitу is explained bу thermallу-induced transformations of the disorder areas.
Установлено, что главной причиной радиационной деградации GaР-диодов является уменьшение времени жизни носителей тока в результате введения безызлучательных глубоких уровней радиационных эффектов. Выявлено тонкую структуру вольт-амперной характеристики (ВАХ) диодов в области температур ниже 90 К. Существование осцилляций связывается с захватом неравновесных носителей тока ловушками и их последующим термическим опустошением. Характерной особенностью ВАХ образцов, облученных нейтронами, есть возникновение N-образного участка отрицательного дифференциального сопротивления. Наличие таких отклонений от монотонности ВАХ объясняется термическими преобразованиями областей разупорядочення.
Встановлено, що головна причина радiацiйної деградацiї GaP-дiодiв - зменшення часу життя носiїв струму в результатi уведення безвипромiнювальних глибоких рiвнiв радiацiйних дефектiв. Виявлено тонку структуру вольт-амперних характеристик (ВАХ) дiодiв в областi температур нижче 90 К. Iснування осциляцiй пов'язується iз захватом нерiвноважних носiїв струму пастками та їх наступним термiчним спустошенням. Характерною особливiстю ВАХ зразкiв, опромiнених нейтронами, є виникнення N-подiбної дiлянки вiд'ємного диференцiального опору. Iснування цього вiдхилення вiд монотонностi ВАХ пояснюється термiчними перетвореннями областей розупорядкування.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
Деградація вольт-амперних характеристик фосфідо-галієвих діодів, що обумовлена радіаційними дефектами
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
spellingShingle Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
Dubovyi, V.K.
Kanevsky, S.O.
Litovchenko, P.G.
Opilat, V.Ya.
Tartachnik, V.P.
title_short Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
title_full Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
title_fullStr Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
title_full_unstemmed Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
title_sort degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
author Dubovyi, V.K.
Kanevsky, S.O.
Litovchenko, P.G.
Opilat, V.Ya.
Tartachnik, V.P.
author_facet Dubovyi, V.K.
Kanevsky, S.O.
Litovchenko, P.G.
Opilat, V.Ya.
Tartachnik, V.P.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Деградація вольт-амперних характеристик фосфідо-галієвих діодів, що обумовлена радіаційними дефектами
description The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (VAC) at temperatures lower than 90 К. The existence of oscillations are associated with the capturing of non-equilibrium current carriers bу traps followed bу thermal destruction thereof. A characteristic VAC feature of the neutron-irradiated samples is the occurrence of an N-like of negative differential resistance. This deviation from the VAC monotonicitу is explained bу thermallу-induced transformations of the disorder areas. Установлено, что главной причиной радиационной деградации GaР-диодов является уменьшение времени жизни носителей тока в результате введения безызлучательных глубоких уровней радиационных эффектов. Выявлено тонкую структуру вольт-амперной характеристики (ВАХ) диодов в области температур ниже 90 К. Существование осцилляций связывается с захватом неравновесных носителей тока ловушками и их последующим термическим опустошением. Характерной особенностью ВАХ образцов, облученных нейтронами, есть возникновение N-образного участка отрицательного дифференциального сопротивления. Наличие таких отклонений от монотонности ВАХ объясняется термическими преобразованиями областей разупорядочення. Встановлено, що головна причина радiацiйної деградацiї GaP-дiодiв - зменшення часу життя носiїв струму в результатi уведення безвипромiнювальних глибоких рiвнiв радiацiйних дефектiв. Виявлено тонку структуру вольт-амперних характеристик (ВАХ) дiодiв в областi температур нижче 90 К. Iснування осциляцiй пов'язується iз захватом нерiвноважних носiїв струму пастками та їх наступним термiчним спустошенням. Характерною особливiстю ВАХ зразкiв, опромiнених нейтронами, є виникнення N-подiбної дiлянки вiд'ємного диференцiального опору. Iснування цього вiдхилення вiд монотонностi ВАХ пояснюється термiчними перетвореннями областей розупорядкування.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859
citation_txt Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT dubovyivk degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects
AT kanevskyso degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects
AT litovchenkopg degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects
AT opilatvya degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects
AT tartachnikvp degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects
AT dubovyivk degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami
AT kanevskyso degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami
AT litovchenkopg degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami
AT opilatvya degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami
AT tartachnikvp degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami
first_indexed 2025-12-01T12:00:38Z
last_indexed 2025-12-01T12:00:38Z
_version_ 1850860183867097088

Similar Items