Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862646731714330624 |
|---|---|
| author | Dubovyi, V.K. Kanevsky, S.O. Litovchenko, P.G. Opilat, V.Ya. Tartachnik, V.P. |
| author_facet | Dubovyi, V.K. Kanevsky, S.O. Litovchenko, P.G. Opilat, V.Ya. Tartachnik, V.P. |
| citation_txt | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (VAC) at temperatures lower than 90 К. The existence of oscillations are associated with the capturing of non-equilibrium current carriers bу traps followed bу thermal destruction thereof. A characteristic VAC feature of the neutron-irradiated samples is the occurrence of an N-like of negative differential resistance. This deviation from the VAC monotonicitу is explained bу thermallу-induced transformations of the disorder areas.
Установлено, что главной причиной радиационной деградации GaР-диодов является уменьшение времени жизни носителей тока в результате введения безызлучательных глубоких уровней радиационных эффектов. Выявлено тонкую структуру вольт-амперной характеристики (ВАХ) диодов в области температур ниже 90 К. Существование осцилляций связывается с захватом неравновесных носителей тока ловушками и их последующим термическим опустошением. Характерной особенностью ВАХ образцов, облученных нейтронами, есть возникновение N-образного участка отрицательного дифференциального сопротивления. Наличие таких отклонений от монотонности ВАХ объясняется термическими преобразованиями областей разупорядочення.
Встановлено, що головна причина радiацiйної деградацiї GaP-дiодiв - зменшення часу життя носiїв струму в результатi уведення безвипромiнювальних глибоких рiвнiв радiацiйних дефектiв. Виявлено тонку структуру вольт-амперних характеристик (ВАХ) дiодiв в областi температур нижче 90 К. Iснування осциляцiй пов'язується iз захватом нерiвноважних носiїв струму пастками та їх наступним термiчним спустошенням. Характерною особливiстю ВАХ зразкiв, опромiнених нейтронами, є виникнення N-подiбної дiлянки вiд'ємного диференцiального опору. Iснування цього вiдхилення вiд монотонностi ВАХ пояснюється термiчними перетвореннями областей розупорядкування.
|
| first_indexed | 2025-12-01T12:00:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138859 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-01T12:00:38Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Dubovyi, V.K. Kanevsky, S.O. Litovchenko, P.G. Opilat, V.Ya. Tartachnik, V.P. 2018-06-19T16:22:26Z 2018-06-19T16:22:26Z 2005 Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects / V.K. Dubovyi, S.O. Kanevsky, P.G. Litovchenko, V.Ya. Opilat, V.P. Tartachnik // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 587-590. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859 The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has been revealed in the voltage-current characteristics (VAC) at temperatures lower than 90 К. The existence of oscillations are associated with the capturing of non-equilibrium current carriers bу traps followed bу thermal destruction thereof. A characteristic VAC feature of the neutron-irradiated samples is the occurrence of an N-like of negative differential resistance. This deviation from the VAC monotonicitу is explained bу thermallу-induced transformations of the disorder areas. Установлено, что главной причиной радиационной деградации GaР-диодов является уменьшение времени жизни носителей тока в результате введения безызлучательных глубоких уровней радиационных эффектов. Выявлено тонкую структуру вольт-амперной характеристики (ВАХ) диодов в области температур ниже 90 К. Существование осцилляций связывается с захватом неравновесных носителей тока ловушками и их последующим термическим опустошением. Характерной особенностью ВАХ образцов, облученных нейтронами, есть возникновение N-образного участка отрицательного дифференциального сопротивления. Наличие таких отклонений от монотонности ВАХ объясняется термическими преобразованиями областей разупорядочення. Встановлено, що головна причина радiацiйної деградацiї GaP-дiодiв - зменшення часу життя носiїв струму в результатi уведення безвипромiнювальних глибоких рiвнiв радiацiйних дефектiв. Виявлено тонку структуру вольт-амперних характеристик (ВАХ) дiодiв в областi температур нижче 90 К. Iснування осциляцiй пов'язується iз захватом нерiвноважних носiїв струму пастками та їх наступним термiчним спустошенням. Характерною особливiстю ВАХ зразкiв, опромiнених нейтронами, є виникнення N-подiбної дiлянки вiд'ємного диференцiального опору. Iснування цього вiдхилення вiд монотонностi ВАХ пояснюється термiчними перетвореннями областей розупорядкування. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects Деградація вольт-амперних характеристик фосфідо-галієвих діодів, що обумовлена радіаційними дефектами Article published earlier |
| spellingShingle | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects Dubovyi, V.K. Kanevsky, S.O. Litovchenko, P.G. Opilat, V.Ya. Tartachnik, V.P. |
| title | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects |
| title_alt | Деградація вольт-амперних характеристик фосфідо-галієвих діодів, що обумовлена радіаційними дефектами |
| title_full | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects |
| title_fullStr | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects |
| title_full_unstemmed | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects |
| title_short | Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects |
| title_sort | degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138859 |
| work_keys_str_mv | AT dubovyivk degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects AT kanevskyso degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects AT litovchenkopg degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects AT opilatvya degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects AT tartachnikvp degradationofvoltagecurrentcharacteristicsofgalliumphosphidediodesduetoradiationinduceddefects AT dubovyivk degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami AT kanevskyso degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami AT litovchenkopg degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami AT opilatvya degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami AT tartachnikvp degradacíâvolʹtampernihharakteristikfosfídogalíêvihdíodívŝoobumovlenaradíacíinimidefektami |