Monitoring of thermal fields on surface of alkali halide single crystals grown from the melt

Experimental data on brightness temperature distribution on the upper butt surface of large alkali-halide single crystals grown from the melt using automated semi-continuous method were obtained for the first time using radiation thermometry. It has been shown that different thickness of condensa...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2005
Автори: Sidletskiy, O.Ts., Goriletsky, V.I., Grinyov, B.V., Sumin, V.I., Sizov, O.V., Tymoshenko, М.N.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138863
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Monitoring of thermal fields on surface of alkali halide single crystals grown from the melt / O.Ts. Sidletskiy, V.I. Goriletsky, B.V. Grinyov, V.I. Sumin, O.V. Sizov, М.N.Tymoshenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 591-595. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Experimental data on brightness temperature distribution on the upper butt surface of large alkali-halide single crystals grown from the melt using automated semi-continuous method were obtained for the first time using radiation thermometry. It has been shown that different thickness of condensate deposited on the crystal surface from the vapor phase of the melt becomes a cause of significant mistakes at non-contact measurements. Crystal surface emissivity value and minimal thickness of the condensate has been determined experimentally allowing one to obtain correct temperature values when monitoring the ingot surface using infrared thermometer. Впервые бесконтактным способом на различных стадиях роста получены экспериментальные данные по распределению яркостной температуры на верхней торцевой поверхности выращиваемых из расплава крупногабаритных щелочногалоидных монокристаллов автоматизированным полунепрерывным методом. Показано, что различная толщина конденсата, осаждаемого на поверхность кристалла из газовой фазы расплава, является причиной значительных ошибок при измерении температуры бесконтактным методом. Экспериментально определены величины излучательной способности исследуемой поверхности кристалла и минимальная толщина конденсата, позволяющие при детектировании поверхности слитка ИК-термометром получать корректные результаты. Вперше безконтактним способом на рiзних стадiях вирощування отримано експериментальнi данi щодо розподiлу яскравистних температур на верхньому торцi поверхнi великогабаритних лужногалоїдних кристалiв, вирощуваних iз розплаву автоматизованим напiвбезперервним методом. Показано, що рiзна кiлькiсть конденсату, що осаджується на поверхню кристала iз газової фази розплаву, є причиною значних похибок при безконтактних вимiрюваннях. Величини випромiнювальної здатностi та мiнiмальна товщина конденсату визначено експериментально, що дозволяє отримувати коректнi значення температури при монiторингу поверхнi зливку за допомогою iнфрачервоного пiрометра.
ISSN:1027-5495