A new method of metallurgical silicon purification

Studied have been individual purification stages of metallurgical silicon by recrystallization from the Ga-Si system melt followed by isolation and washing of crystals using chemical methods. The technological sequence for silicon purification has been developed. The method makes it possible to puri...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2005
Hauptverfasser: Maronchuk, I.E., Solovyev, O.V., Khlopyonova, I.A.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138864
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:A new method of metallurgical silicon purification / I.E. Maronchuk, O.V. Solovyev, I.A. Khlopyonova // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 596-599. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138864
record_format dspace
spelling Maronchuk, I.E.
Solovyev, O.V.
Khlopyonova, I.A.
2018-06-19T16:24:27Z
2018-06-19T16:24:27Z
2005
A new method of metallurgical silicon purification / I.E. Maronchuk, O.V. Solovyev, I.A. Khlopyonova // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 596-599. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138864
Studied have been individual purification stages of metallurgical silicon by recrystallization from the Ga-Si system melt followed by isolation and washing of crystals using chemical methods. The technological sequence for silicon purification has been developed. The method makes it possible to purify silicon containing at least 98.0% Si by weight. The subsequent purification by crystallization from the melt provides the product purity level up to 99.999 mass.%
Исследованы отдельные стадии очистки металлургического кремния перекристаллизацией из расплава системы Ga-Si с последующим выделением и промывкой кристаллов химическими методами. Разработана технологическая схема очистки кремния. Способ позволяет очищать кремний с содержанием более 98,0 масс. % Si. При последующей кристаллизационной очистке выращиванием слитка из расплава можно повысить уровень чистоты продукта до 99,999 масс. %.
Дослiджено окремi стадiї очищення металургiйного силiцiю перекристалiзацiєю з розплаву системи Ga-Si з наступним видiленням i промиванням кристалiв хiмiчними методами. Розроблено технологiчну схему очищення силiцiю. Спосiб дозволяє очищувати силiцiй з вмiстом бiльш, нiж 98,0 мас. % Si. При наступному кристалiзацiйному очищеннi вирощуванням злитка з розплаву можна пiдвищити рiвень чистоти продукту до 99,999 мас. %.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
A new method of metallurgical silicon purification
Новий метод очищення металургійного силіцію
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title A new method of metallurgical silicon purification
spellingShingle A new method of metallurgical silicon purification
Maronchuk, I.E.
Solovyev, O.V.
Khlopyonova, I.A.
title_short A new method of metallurgical silicon purification
title_full A new method of metallurgical silicon purification
title_fullStr A new method of metallurgical silicon purification
title_full_unstemmed A new method of metallurgical silicon purification
title_sort new method of metallurgical silicon purification
author Maronchuk, I.E.
Solovyev, O.V.
Khlopyonova, I.A.
author_facet Maronchuk, I.E.
Solovyev, O.V.
Khlopyonova, I.A.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Новий метод очищення металургійного силіцію
description Studied have been individual purification stages of metallurgical silicon by recrystallization from the Ga-Si system melt followed by isolation and washing of crystals using chemical methods. The technological sequence for silicon purification has been developed. The method makes it possible to purify silicon containing at least 98.0% Si by weight. The subsequent purification by crystallization from the melt provides the product purity level up to 99.999 mass.% Исследованы отдельные стадии очистки металлургического кремния перекристаллизацией из расплава системы Ga-Si с последующим выделением и промывкой кристаллов химическими методами. Разработана технологическая схема очистки кремния. Способ позволяет очищать кремний с содержанием более 98,0 масс. % Si. При последующей кристаллизационной очистке выращиванием слитка из расплава можно повысить уровень чистоты продукта до 99,999 масс. %. Дослiджено окремi стадiї очищення металургiйного силiцiю перекристалiзацiєю з розплаву системи Ga-Si з наступним видiленням i промиванням кристалiв хiмiчними методами. Розроблено технологiчну схему очищення силiцiю. Спосiб дозволяє очищувати силiцiй з вмiстом бiльш, нiж 98,0 мас. % Si. При наступному кристалiзацiйному очищеннi вирощуванням злитка з розплаву можна пiдвищити рiвень чистоти продукту до 99,999 мас. %.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138864
citation_txt A new method of metallurgical silicon purification / I.E. Maronchuk, O.V. Solovyev, I.A. Khlopyonova // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 596-599. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT maronchukie anewmethodofmetallurgicalsiliconpurification
AT solovyevov anewmethodofmetallurgicalsiliconpurification
AT khlopyonovaia anewmethodofmetallurgicalsiliconpurification
AT maronchukie noviimetodočiŝennâmetalurgíinogosilícíû
AT solovyevov noviimetodočiŝennâmetalurgíinogosilícíû
AT khlopyonovaia noviimetodočiŝennâmetalurgíinogosilícíû
AT maronchukie newmethodofmetallurgicalsiliconpurification
AT solovyevov newmethodofmetallurgicalsiliconpurification
AT khlopyonovaia newmethodofmetallurgicalsiliconpurification
first_indexed 2025-12-07T15:21:27Z
last_indexed 2025-12-07T15:21:27Z
_version_ 1850863400263876609