Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements
Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence no...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138871 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710957935951872 |
|---|---|
| author | Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| author_facet | Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| citation_txt | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence not only the electric properties but also the photoluminescence spectra of ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺) layers. The luminescence bands due to As and N introduction appear in the UV and visible spectral regions.
Показано, що iонна iмплантацiя миш'яку (азоту) у плiвку оксиду Цинку (As i N як акцепторна домiшка у ZnO) може приводити до формування дiркового типу провiдностi тiльки у випадку вiдпалу в атмосферi радикалiв кисню. Iонна iмплантацiя i наступний вiдпал впливають не тiльки на електричнi властивостi шарiв :Ga:As⁺ ZnO (ZnO:Ga:N⁺), але й на iхнi спектри фотолюмiнесценцii. Смуги люмiнесценцii, що викликанi впровадженням As i N, спостерiгаються в ультрафiолетовiй i видимiй областях спектра.
Показано, что ионная имплантация мышьяка (азота) в пленку оксида Цинка (As и N как акцепторная примесь в ZnO) может приводить к формированию дырочного типа проводимости только в случае отжига в атмосфере радикалов кислорода. Ионная имплантация и последующий отжиг влияют не только на электрические свойства слоев ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺), но и на их спектры фотолюминесценции. Полосы люминесценции, которые вызваны внедрением As и N, наблюдаются в ультрафиолетовой и видимой областях спектра.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:27:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138871 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:27:46Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. 2018-06-19T16:30:38Z 2018-06-19T16:30:38Z 2005 Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138871 Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence not only the electric properties but also the photoluminescence spectra of ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺) layers. The luminescence bands due to As and N introduction appear in the UV and visible spectral regions. Показано, що iонна iмплантацiя миш'яку (азоту) у плiвку оксиду Цинку (As i N як акцепторна домiшка у ZnO) може приводити до формування дiркового типу провiдностi тiльки у випадку вiдпалу в атмосферi радикалiв кисню. Iонна iмплантацiя i наступний вiдпал впливають не тiльки на електричнi властивостi шарiв :Ga:As⁺ ZnO (ZnO:Ga:N⁺), але й на iхнi спектри фотолюмiнесценцii. Смуги люмiнесценцii, що викликанi впровадженням As i N, спостерiгаються в ультрафiолетовiй i видимiй областях спектра. Показано, что ионная имплантация мышьяка (азота) в пленку оксида Цинка (As и N как акцепторная примесь в ZnO) может приводить к формированию дырочного типа проводимости только в случае отжига в атмосфере радикалов кислорода. Ионная имплантация и последующий отжиг влияют не только на электрические свойства слоев ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺), но и на их спектры фотолюминесценции. Полосы люминесценции, которые вызваны внедрением As и N, наблюдаются в ультрафиолетовой и видимой областях спектра. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements Фотолюмінесцентні та електрофізичні властивості шарів ZnO p-типу імплантованих елементами V групи Article published earlier |
| spellingShingle | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| title | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_alt | Фотолюмінесцентні та електрофізичні властивості шарів ZnO p-типу імплантованих елементами V групи |
| title_full | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_fullStr | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_full_unstemmed | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_short | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_sort | photoluminescence and electrophysical properties of p-type zno layers implanted with v group elements |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138871 |
| work_keys_str_mv | AT kotlyarevskymb photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT rogoziniv photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT marakhovskyov photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT kotlyarevskymb fotolûmínescentnítaelektrofízičnívlastivostíšarívznoptipuímplantovanihelementamivgrupi AT rogoziniv fotolûmínescentnítaelektrofízičnívlastivostíšarívznoptipuímplantovanihelementamivgrupi AT marakhovskyov fotolûmínescentnítaelektrofízičnívlastivostíšarívznoptipuímplantovanihelementamivgrupi |