Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements
Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence no...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138871 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138871 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. 2018-06-19T16:30:38Z 2018-06-19T16:30:38Z 2005 Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138871 Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence not only the electric properties but also the photoluminescence spectra of ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺) layers. The luminescence bands due to As and N introduction appear in the UV and visible spectral regions. Показано, що iонна iмплантацiя миш'яку (азоту) у плiвку оксиду Цинку (As i N як акцепторна домiшка у ZnO) може приводити до формування дiркового типу провiдностi тiльки у випадку вiдпалу в атмосферi радикалiв кисню. Iонна iмплантацiя i наступний вiдпал впливають не тiльки на електричнi властивостi шарiв :Ga:As⁺ ZnO (ZnO:Ga:N⁺), але й на iхнi спектри фотолюмiнесценцii. Смуги люмiнесценцii, що викликанi впровадженням As i N, спостерiгаються в ультрафiолетовiй i видимiй областях спектра. Показано, что ионная имплантация мышьяка (азота) в пленку оксида Цинка (As и N как акцепторная примесь в ZnO) может приводить к формированию дырочного типа проводимости только в случае отжига в атмосфере радикалов кислорода. Ионная имплантация и последующий отжиг влияют не только на электрические свойства слоев ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺), но и на их спектры фотолюминесценции. Полосы люминесценции, которые вызваны внедрением As и N, наблюдаются в ультрафиолетовой и видимой областях спектра. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements Фотолюмінесцентні та електрофізичні властивості шарів ZnO p-типу імплантованих елементами V групи Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| spellingShingle |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| title_short |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_full |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_fullStr |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_full_unstemmed |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements |
| title_sort |
photoluminescence and electrophysical properties of p-type zno layers implanted with v group elements |
| author |
Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| author_facet |
Kotlyarevsky, M.B. Rogozin, I.V. Marakhovsky, O.V. |
| publishDate |
2005 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Фотолюмінесцентні та електрофізичні властивості шарів ZnO p-типу імплантованих елементами V групи |
| description |
Ion implantation of arsenic and nitrogen into zinc oxide film (As and N being acceptor impurities in ZnO) has been shown to result in formation of the hole conductivity only if the film is annealed in the presence of oxygen radicals. The ion implantation and sub- sequent anneal influence not only the electric properties but also the photoluminescence spectra of ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺) layers. The luminescence bands due to As and N introduction appear in the UV and visible spectral regions.
Показано, що iонна iмплантацiя миш'яку (азоту) у плiвку оксиду Цинку (As i N як акцепторна домiшка у ZnO) може приводити до формування дiркового типу провiдностi тiльки у випадку вiдпалу в атмосферi радикалiв кисню. Iонна iмплантацiя i наступний вiдпал впливають не тiльки на електричнi властивостi шарiв :Ga:As⁺ ZnO (ZnO:Ga:N⁺), але й на iхнi спектри фотолюмiнесценцii. Смуги люмiнесценцii, що викликанi впровадженням As i N, спостерiгаються в ультрафiолетовiй i видимiй областях спектра.
Показано, что ионная имплантация мышьяка (азота) в пленку оксида Цинка (As и N как акцепторная примесь в ZnO) может приводить к формированию дырочного типа проводимости только в случае отжига в атмосфере радикалов кислорода. Ионная имплантация и последующий отжиг влияют не только на электрические свойства слоев ZnO:Ga:As⁺ (ZnO:Ga:N⁺), но и на их спектры фотолюминесценции. Полосы люминесценции, которые вызваны внедрением As и N, наблюдаются в ультрафиолетовой и видимой областях спектра.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138871 |
| citation_txt |
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, O.V. Marakhovsky // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 616-621. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT kotlyarevskymb photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT rogoziniv photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT marakhovskyov photoluminescenceandelectrophysicalpropertiesofptypeznolayersimplantedwithvgroupelements AT kotlyarevskymb fotolûmínescentnítaelektrofízičnívlastivostíšarívznoptipuímplantovanihelementamivgrupi AT rogoziniv fotolûmínescentnítaelektrofízičnívlastivostíšarívznoptipuímplantovanihelementamivgrupi AT marakhovskyov fotolûmínescentnítaelektrofízičnívlastivostíšarívznoptipuímplantovanihelementamivgrupi |
| first_indexed |
2025-12-07T17:27:46Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:27:46Z |
| _version_ |
1850871346497585152 |