Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
The crystallization kinetics of Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films has been analyzed using results of impedance measurements, in which Bruggerman's effective medium approximation was employed, considering that the amorphous matrix contained inclusions of two different crystalline phases. To vali...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138877 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 669-673. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138877 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Claudio, D. Laine, B. Licea, O. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, E. Trapaga, G. 2018-06-19T16:34:25Z 2018-06-19T16:34:25Z 2005 Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 669-673. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138877 The crystallization kinetics of Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films has been analyzed using results of impedance measurements, in which Bruggerman's effective medium approximation was employed, considering that the amorphous matrix contained inclusions of two different crystalline phases. To validate the predictions from analytical model, we compared those with experimental results obtained for Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films. The proposed analytical model allows us to simulate similar transformation curves as those obtained from the experiments in different materials. Кiнетику процесiв кристалiзацii у плiвках Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅ проаналiзовано за допомогою вимiрювань iмпедансу з використанням наближення Бруггермана, яке бере до уваги наявнiсть включень двох рiзних кристалiчних фаз в аморфнiй матрицi. Прогнози аналiтичноi моделi зiставлено з експериментальними результатами для Ge₁Sb₂Тe₄ та Ge₂Sb₂Тe₅ . 3апропонована аналiтична модель дозволяє моделювати кривi фазових перетворень, аналогiчнi одержаним експериментально для рiзних матерiалiв. Кинетика процессов кристаллизации в пленках Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅ проанализирована с помощью измерений импеданса с использованием приближения Бруггермана, учитывающего наличие включений двух различных кристаллических фаз в аморфной матрице. Предсказания аналитической модели сравнены с экспериментальными результатами для Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅. Предложенная аналитическая модель позволяет моделировать кривые фазовых превращений, подобные полученным экспериментально для различных материалов. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films Процес кристалiзацiI у тонких стехiометричних плiвках GeSbTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films |
| spellingShingle |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films Claudio, D. Laine, B. Licea, O. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, E. Trapaga, G. |
| title_short |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films |
| title_full |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films |
| title_fullStr |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films |
| title_full_unstemmed |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films |
| title_sort |
crystallization process in thin stoichiometric gesbte films |
| author |
Claudio, D. Laine, B. Licea, O. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, E. Trapaga, G. |
| author_facet |
Claudio, D. Laine, B. Licea, O. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, E. Trapaga, G. |
| publishDate |
2005 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Процес кристалiзацiI у тонких стехiометричних плiвках GeSbTe |
| description |
The crystallization kinetics of Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films has been analyzed using results of impedance measurements, in which Bruggerman's effective medium approximation was employed, considering that the amorphous matrix contained inclusions of two different crystalline phases. To validate the predictions from analytical model, we compared those with experimental results obtained for Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films. The proposed analytical model allows us to simulate similar transformation curves as those obtained from the experiments in different materials.
Кiнетику процесiв кристалiзацii у плiвках Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅ проаналiзовано за допомогою вимiрювань iмпедансу з використанням наближення Бруггермана, яке бере до уваги наявнiсть включень двох рiзних кристалiчних фаз в аморфнiй матрицi. Прогнози аналiтичноi моделi зiставлено з експериментальними результатами для Ge₁Sb₂Тe₄ та Ge₂Sb₂Тe₅ . 3апропонована аналiтична модель дозволяє моделювати кривi фазових перетворень, аналогiчнi одержаним експериментально для рiзних матерiалiв.
Кинетика процессов кристаллизации в пленках Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅ проанализирована с помощью измерений импеданса с использованием приближения Бруггермана, учитывающего наличие включений двух различных кристаллических фаз в аморфной матрице. Предсказания аналитической модели сравнены с экспериментальными результатами для Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅. Предложенная аналитическая модель позволяет моделировать кривые фазовых превращений, подобные полученным экспериментально для различных материалов.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138877 |
| citation_txt |
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 669-673. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT claudiod crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms AT laineb crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms AT liceao crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms AT moralessancheze crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms AT prokhorove crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms AT trapagag crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms AT claudiod proceskristalizaciiutonkihstehiometričnihplivkahgesbte AT laineb proceskristalizaciiutonkihstehiometričnihplivkahgesbte AT liceao proceskristalizaciiutonkihstehiometričnihplivkahgesbte AT moralessancheze proceskristalizaciiutonkihstehiometričnihplivkahgesbte AT prokhorove proceskristalizaciiutonkihstehiometričnihplivkahgesbte AT trapagag proceskristalizaciiutonkihstehiometričnihplivkahgesbte |
| first_indexed |
2025-12-01T04:40:38Z |
| last_indexed |
2025-12-01T04:40:38Z |
| _version_ |
1850859276050890752 |