Doped sillenite crystals

AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Sn doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals and pure Bi₁₂SiO₂₀ crystals with varying concentration of non-stoichiometric defects have been grown. The localization of the doping ions in the crystal lattice have been determined and the distribution coefficients thereof have been calcula...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2005
Hauptverfasser: Panchenko, T.V., Truseeva, N.A., Strelets, K.Yu.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138887
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Doped sillenite crystals / T.V. Panchenko, N.A. Truseeva, K.Yu.Strelets // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 707-713. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138887
record_format dspace
spelling Panchenko, T.V.
Truseeva, N.A.
Strelets, K.Yu.
2018-06-19T16:40:07Z
2018-06-19T16:40:07Z
2005
Doped sillenite crystals / T.V. Panchenko, N.A. Truseeva, K.Yu.Strelets // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 707-713. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138887
AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Sn doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals and pure Bi₁₂SiO₂₀ crystals with varying concentration of non-stoichiometric defects have been grown. The localization of the doping ions in the crystal lattice have been determined and the distribution coefficients thereof have been calculated within the frame of isomorphism theory considering the energy of preference to the octahedron oxygen surrounding. The means to improve the optical quality of the pure and doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals have been proposed, the photochromic properties thereof have been investigated.
Вирощено кристали Bi₁₂SiO₂₀ iз варiйованою концентрацiєю дефектiв нестехiометрii та легованi iонами AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Ag i Sn. У межах теорii iзоморфiзму з урахуванням енергii переваги до октаедрiчного кисневого оточення визначено локалiзацiю домiшкових iонiв у кристалiчних гратках, знайдено коефiцiєнти iх розподiлу. 3апропоновано методи пiдвищення оптичноi якостi чистих i легованих кристалiв Bi₁₂SiO₂₀, дослiджено iх фотохромнi властивостi.
Выращены кристаллы Bi₁₂SiO₂₀ с варьируемой концентрацией дефектов нестехиометрии и легированные ионами AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Ag и Sn. В рамках теории изоморфизма с учетом энергии предпочтения к октаэдрическому кислородному окружению определена локализация примесных ионов в кристаллической решетке, найдены коэффициенты их распределения. Предложены способы повышения оптического качества чистых и легированных кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, исследованы их фотохромные свойства.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Doped sillenite crystals
Легованi кристали силенiту
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Doped sillenite crystals
spellingShingle Doped sillenite crystals
Panchenko, T.V.
Truseeva, N.A.
Strelets, K.Yu.
title_short Doped sillenite crystals
title_full Doped sillenite crystals
title_fullStr Doped sillenite crystals
title_full_unstemmed Doped sillenite crystals
title_sort doped sillenite crystals
author Panchenko, T.V.
Truseeva, N.A.
Strelets, K.Yu.
author_facet Panchenko, T.V.
Truseeva, N.A.
Strelets, K.Yu.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Легованi кристали силенiту
description AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Sn doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals and pure Bi₁₂SiO₂₀ crystals with varying concentration of non-stoichiometric defects have been grown. The localization of the doping ions in the crystal lattice have been determined and the distribution coefficients thereof have been calculated within the frame of isomorphism theory considering the energy of preference to the octahedron oxygen surrounding. The means to improve the optical quality of the pure and doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals have been proposed, the photochromic properties thereof have been investigated. Вирощено кристали Bi₁₂SiO₂₀ iз варiйованою концентрацiєю дефектiв нестехiометрii та легованi iонами AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Ag i Sn. У межах теорii iзоморфiзму з урахуванням енергii переваги до октаедрiчного кисневого оточення визначено локалiзацiю домiшкових iонiв у кристалiчних гратках, знайдено коефiцiєнти iх розподiлу. 3апропоновано методи пiдвищення оптичноi якостi чистих i легованих кристалiв Bi₁₂SiO₂₀, дослiджено iх фотохромнi властивостi. Выращены кристаллы Bi₁₂SiO₂₀ с варьируемой концентрацией дефектов нестехиометрии и легированные ионами AI, Ga, Cг, Mn, V, Cu, Mо, Fe, Ag и Sn. В рамках теории изоморфизма с учетом энергии предпочтения к октаэдрическому кислородному окружению определена локализация примесных ионов в кристаллической решетке, найдены коэффициенты их распределения. Предложены способы повышения оптического качества чистых и легированных кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, исследованы их фотохромные свойства.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138887
citation_txt Doped sillenite crystals / T.V. Panchenko, N.A. Truseeva, K.Yu.Strelets // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 707-713. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT panchenkotv dopedsillenitecrystals
AT truseevana dopedsillenitecrystals
AT streletskyu dopedsillenitecrystals
AT panchenkotv legovanikristalisilenitu
AT truseevana legovanikristalisilenitu
AT streletskyu legovanikristalisilenitu
first_indexed 2025-12-07T20:27:33Z
last_indexed 2025-12-07T20:27:33Z
_version_ 1850882657954562048