Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief
The crystallography and topography of the (100) cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃ crystal have been studied by low energy electron diffraction (LEED), scanning tunnelling and atomic-force microscopy (STM, AFM) in ultrahigh vacuum (UHV). The structure of surface LEED patterns, shape a...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138900 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief // P.V. Galiy, A. Ciszewski, O.R. Dveriy, Ya.B. Losovyj, P. Mazur, T.M. Nenchuk, S. Zuber, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 279-285. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138900 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Galiy, P.V. Ciszewski, A. Dveriy, O.R. Losovyj, Ya.B. Mazur, P. Nenchuk, T.M. Zuber, S. Fiyala, Ya.M. 2018-06-19T16:52:53Z 2018-06-19T16:52:53Z 2009 Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief // P.V. Galiy, A. Ciszewski, O.R. Dveriy, Ya.B. Losovyj, P. Mazur, T.M. Nenchuk, S. Zuber, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 279-285. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138900 The crystallography and topography of the (100) cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃ crystal have been studied by low energy electron diffraction (LEED), scanning tunnelling and atomic-force microscopy (STM, AFM) in ultrahigh vacuum (UHV). The structure of surface LEED patterns, shape and dimensions of subsequent STM- and AFMprofiles agree well with the lattice parameters derived from the bulk crystal structure obtained by X-ray diffraction. The local density of states and band gap for (100) In₄Se₃ have been obtained by scanning tunnelling spectroscopy and point to the same integral gap value as for bulk crystal. The STM/STS results evidence the stability of interlayer cleavage surface and confirm that anisotropic striated low conductive cleavage surfaces might be suitable as matrices/templates in formation of surface nanowires or nanostructures. Кристалографію та топографію поверхонь (100) сколювання кристалів шаруватих напівпровідників In₄Se₃ досліджено методами дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної та атомно-силової мікроскопій (СТМ, АСМ) у надвисокому вакуумі. Структура рефлексів ДПЕ, форма і характерні розміри в одержаних СТМ- та АСМ-профілях поверхонь сколювання відповідають структурі і параметрам гратки, одержаним для кристалів In₄Se₃ орторомбічної структури методом ренгенівської дифракції. Локальна густина електронних станів і ширина забороненої зони для поверхонь сколювання (100) In₄Se₃, що отримані методом скануючої тунельної спектроскопії (вказують на їі інтегральну величину, таку ж як для об'ємних кристалів. Результати ДПЕ, СТМ/АСМ вказують на стабільність міжшарових поверхонь сколювання та перспективність використання слабкопровідних борознистих анізотропних сколів як матриць/шаблонів для формування поверхневих нанодротів та наноструктур. Кристаллография и топография поверхностей (100) скалывания кристаллов слоистых полупроводников In₄Se₃ исследованы методами дифракции медленных электронов (ДМЭ), сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопий (СТМ, АСМ) в сверхвысоком вакууме. Структура рефлексов ДМЭ, форма и характерные размеры в полученных СТМ- и АСМ-профилях поверхностей скалывания хорошо согласуются со структурой и параметрами решетки, полученными для кристаллов In₄Se₃ орторомбической структуры методом рентгеновской дифракции. Локальная плотность электронных состояний и ширина запрещенной зоны для поверхностей скалывания (100) In₄Se₃, полученная методом сканирующей туннельной спектроскопии, указывают на ее интегральное значение, такое же как для объемных кристаллов. Результаты ДМЭ, СТМ/АСМ указывают на стабильность междуслоевых поверхностей скалывания и перспективность использования слабо проводящих бороздчатых анизотропных сколов в качестве матриц/шаблонов для формирования поверхностных нанопроволок или наноструктур. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief Дослідження нанорельєфу поверхонь (100) кристалів In₄Se₃ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief |
| spellingShingle |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief Galiy, P.V. Ciszewski, A. Dveriy, O.R. Losovyj, Ya.B. Mazur, P. Nenchuk, T.M. Zuber, S. Fiyala, Ya.M. Characterization and properties |
| title_short |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief |
| title_full |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief |
| title_fullStr |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief |
| title_full_unstemmed |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief |
| title_sort |
investigation of (100) in₄se₃ crystal surface nanorelief |
| author |
Galiy, P.V. Ciszewski, A. Dveriy, O.R. Losovyj, Ya.B. Mazur, P. Nenchuk, T.M. Zuber, S. Fiyala, Ya.M. |
| author_facet |
Galiy, P.V. Ciszewski, A. Dveriy, O.R. Losovyj, Ya.B. Mazur, P. Nenchuk, T.M. Zuber, S. Fiyala, Ya.M. |
| topic |
Characterization and properties |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| publishDate |
2009 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження нанорельєфу поверхонь (100) кристалів In₄Se₃ |
| description |
The crystallography and topography of the (100) cleavage surfaces of layered semiconductor In₄Se₃ crystal have been studied by low energy electron diffraction (LEED), scanning tunnelling and atomic-force microscopy (STM, AFM) in ultrahigh vacuum (UHV). The structure of surface LEED patterns, shape and dimensions of subsequent STM- and AFMprofiles agree well with the lattice parameters derived from the bulk crystal structure obtained by X-ray diffraction. The local density of states and band gap for (100) In₄Se₃ have been obtained by scanning tunnelling spectroscopy and point to the same integral gap value as for bulk crystal. The STM/STS results evidence the stability of interlayer cleavage surface and confirm that anisotropic striated low conductive cleavage surfaces might be suitable as matrices/templates in formation of surface nanowires or nanostructures.
Кристалографію та топографію поверхонь (100) сколювання кристалів шаруватих напівпровідників In₄Se₃ досліджено методами дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної та атомно-силової мікроскопій (СТМ, АСМ) у надвисокому вакуумі. Структура рефлексів ДПЕ, форма і характерні розміри в одержаних СТМ- та АСМ-профілях поверхонь сколювання відповідають структурі і параметрам гратки, одержаним для кристалів In₄Se₃ орторомбічної структури методом ренгенівської дифракції. Локальна густина електронних станів і ширина забороненої зони для поверхонь сколювання (100) In₄Se₃, що отримані методом скануючої тунельної спектроскопії (вказують на їі інтегральну величину, таку ж як для об'ємних кристалів. Результати ДПЕ, СТМ/АСМ вказують на стабільність міжшарових поверхонь сколювання та перспективність використання слабкопровідних борознистих анізотропних сколів як матриць/шаблонів для формування поверхневих нанодротів та наноструктур.
Кристаллография и топография поверхностей (100) скалывания кристаллов слоистых полупроводников In₄Se₃ исследованы методами дифракции медленных электронов (ДМЭ), сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопий (СТМ, АСМ) в сверхвысоком вакууме. Структура рефлексов ДМЭ, форма и характерные размеры в полученных СТМ- и АСМ-профилях поверхностей скалывания хорошо согласуются со структурой и параметрами решетки, полученными для кристаллов In₄Se₃ орторомбической структуры методом рентгеновской дифракции. Локальная плотность электронных состояний и ширина запрещенной зоны для поверхностей скалывания (100) In₄Se₃, полученная методом сканирующей туннельной спектроскопии, указывают на ее интегральное значение, такое же как для объемных кристаллов. Результаты ДМЭ, СТМ/АСМ указывают на стабильность междуслоевых поверхностей скалывания и перспективность использования слабо проводящих бороздчатых анизотропных сколов в качестве матриц/шаблонов для формирования поверхностных нанопроволок или наноструктур.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138900 |
| citation_txt |
Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief // P.V. Galiy, A. Ciszewski, O.R. Dveriy, Ya.B. Losovyj, P. Mazur, T.M. Nenchuk, S. Zuber, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 279-285. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT galiypv investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT ciszewskia investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT dveriyor investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT losovyjyab investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT mazurp investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT nenchuktm investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT zubers investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT fiyalayam investigationof100in4se3crystalsurfacenanorelief AT galiypv doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT ciszewskia doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT dveriyor doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT losovyjyab doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT mazurp doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT nenchuktm doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT zubers doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 AT fiyalayam doslídžennânanorelʹêfupoverhonʹ100kristalívin4se3 |
| first_indexed |
2025-12-07T19:09:06Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:09:06Z |
| _version_ |
1850877722434207745 |