Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes

The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. Th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2009
Hauptverfasser: Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
Schlagworte:
Characterization and properties
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138911
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138911
record_format dspace
spelling Borzakovskyj, A.
Gontaruk, O.
Kochkin, V.
Litovchenko, P.
Opilat, V.
Petrenko, I.
Tartachnyk, V.
2018-06-19T16:58:33Z
2018-06-19T16:58:33Z
2009
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138911
The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. The dependences of those quantities on the irradiation dose have been obtained (for E = 1 MeV electrons). In the case of alpha-particle bombardment (10²-10³ cm⁻¹), anomalous high carrier removal rate is explained by formation of disordered regions in irradiated samples.
Наведено результати дослідження ємнісних характеристик зелених та червоних фосфідо-галієвих діодів. Визначено характер розподілу легуючих домішок у межах збідненої області, залежність ширини переходу від прикладеної напруги та концентрації домішки у слаболегованій частині p-n-переходу. Одержано залежність цих величин від дози опромінення (для електронів з Е = 1 МеВ). Аномально велике значення швидкості видалення носіїв при бомбардуванні а-частинками (10²-10³ cm⁻¹) пояснюється формуванням в опромінених зразках областей розупорядкування.
Представлены результаты исследования емкостных характеристик фосфидо-галлиевых диодов зеленого и красного свечения. Выяснен характер распределения легирующих примесей в пределах обедненной области, зависимость ширины перехода от приложенного напряжения и концентрации примеси в слабо легированной части p-n-перехода. Определена зависимость этих величин от дозы облучения (для электронов с Е = 1 МэВ). Аномально большое значение скорости удаления носителей при бомбардировании а-частицами (10²-10³ cm⁻¹) объясняется образованием в облученных образцах областей разупорядочения.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Characterization and properties
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
Вплив радіації на характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
spellingShingle Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
Borzakovskyj, A.
Gontaruk, O.
Kochkin, V.
Litovchenko, P.
Opilat, V.
Petrenko, I.
Tartachnyk, V.
Characterization and properties
title_short Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
title_full Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
title_fullStr Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
title_full_unstemmed Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
title_sort radiation influence on characteristics of gap light emitting diodes
author Borzakovskyj, A.
Gontaruk, O.
Kochkin, V.
Litovchenko, P.
Opilat, V.
Petrenko, I.
Tartachnyk, V.
author_facet Borzakovskyj, A.
Gontaruk, O.
Kochkin, V.
Litovchenko, P.
Opilat, V.
Petrenko, I.
Tartachnyk, V.
topic Characterization and properties
topic_facet Characterization and properties
publishDate 2009
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Вплив радіації на характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів
description The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. The dependences of those quantities on the irradiation dose have been obtained (for E = 1 MeV electrons). In the case of alpha-particle bombardment (10²-10³ cm⁻¹), anomalous high carrier removal rate is explained by formation of disordered regions in irradiated samples. Наведено результати дослідження ємнісних характеристик зелених та червоних фосфідо-галієвих діодів. Визначено характер розподілу легуючих домішок у межах збідненої області, залежність ширини переходу від прикладеної напруги та концентрації домішки у слаболегованій частині p-n-переходу. Одержано залежність цих величин від дози опромінення (для електронів з Е = 1 МеВ). Аномально велике значення швидкості видалення носіїв при бомбардуванні а-частинками (10²-10³ cm⁻¹) пояснюється формуванням в опромінених зразках областей розупорядкування. Представлены результаты исследования емкостных характеристик фосфидо-галлиевых диодов зеленого и красного свечения. Выяснен характер распределения легирующих примесей в пределах обедненной области, зависимость ширины перехода от приложенного напряжения и концентрации примеси в слабо легированной части p-n-перехода. Определена зависимость этих величин от дозы облучения (для электронов с Е = 1 МэВ). Аномально большое значение скорости удаления носителей при бомбардировании а-частицами (10²-10³ cm⁻¹) объясняется образованием в облученных образцах областей разупорядочения.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138911
citation_txt Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT borzakovskyja radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT gontaruko radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT kochkinv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT litovchenkop radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT opilatv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT petrenkoi radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT tartachnykv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes
AT borzakovskyja vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
AT gontaruko vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
AT kochkinv vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
AT litovchenkop vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
AT opilatv vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
AT petrenkoi vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
AT tartachnykv vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív
first_indexed 2025-12-07T13:21:07Z
last_indexed 2025-12-07T13:21:07Z
_version_ 1850855829386821632

Ähnliche Einträge