Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. Th...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138911 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862620084102496256 |
|---|---|
| author | Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. |
| author_facet | Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. |
| citation_txt | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. The dependences of those quantities on the irradiation dose have been obtained (for E = 1 MeV electrons). In the case of alpha-particle bombardment (10²-10³ cm⁻¹), anomalous high carrier removal rate is explained by formation of disordered regions in irradiated samples.
Наведено результати дослідження ємнісних характеристик зелених та червоних фосфідо-галієвих діодів. Визначено характер розподілу легуючих домішок у межах збідненої області, залежність ширини переходу від прикладеної напруги та концентрації домішки у слаболегованій частині p-n-переходу. Одержано залежність цих величин від дози опромінення (для електронів з Е = 1 МеВ). Аномально велике значення швидкості видалення носіїв при бомбардуванні а-частинками (10²-10³ cm⁻¹) пояснюється формуванням в опромінених зразках областей розупорядкування.
Представлены результаты исследования емкостных характеристик фосфидо-галлиевых диодов зеленого и красного свечения. Выяснен характер распределения легирующих примесей в пределах обедненной области, зависимость ширины перехода от приложенного напряжения и концентрации примеси в слабо легированной части p-n-перехода. Определена зависимость этих величин от дозы облучения (для электронов с Е = 1 МэВ). Аномально большое значение скорости удаления носителей при бомбардировании а-частицами (10²-10³ cm⁻¹) объясняется образованием в облученных образцах областей разупорядочения.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:21:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138911 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T13:21:07Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. 2018-06-19T16:58:33Z 2018-06-19T16:58:33Z 2009 Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes // A. Borzakovskyj, O. Gontaruk, V. Kochkin, P. Litovchenko, V. Opilat, I. Petrenko, V. Tartachnyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 313-318. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138911 The capacitance properties of GaP green and red LEDs have been studied. It was found the character of a doping impurity distribution in the depleted region and the junction depth dependence on bias voltage and impurity concentration in the low-doped part of the p-n junction have been established. The dependences of those quantities on the irradiation dose have been obtained (for E = 1 MeV electrons). In the case of alpha-particle bombardment (10²-10³ cm⁻¹), anomalous high carrier removal rate is explained by formation of disordered regions in irradiated samples. Наведено результати дослідження ємнісних характеристик зелених та червоних фосфідо-галієвих діодів. Визначено характер розподілу легуючих домішок у межах збідненої області, залежність ширини переходу від прикладеної напруги та концентрації домішки у слаболегованій частині p-n-переходу. Одержано залежність цих величин від дози опромінення (для електронів з Е = 1 МеВ). Аномально велике значення швидкості видалення носіїв при бомбардуванні а-частинками (10²-10³ cm⁻¹) пояснюється формуванням в опромінених зразках областей розупорядкування. Представлены результаты исследования емкостных характеристик фосфидо-галлиевых диодов зеленого и красного свечения. Выяснен характер распределения легирующих примесей в пределах обедненной области, зависимость ширины перехода от приложенного напряжения и концентрации примеси в слабо легированной части p-n-перехода. Определена зависимость этих величин от дозы облучения (для электронов с Е = 1 МэВ). Аномально большое значение скорости удаления носителей при бомбардировании а-частицами (10²-10³ cm⁻¹) объясняется образованием в облученных образцах областей разупорядочения. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes Вплив радіації на характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів Article published earlier |
| spellingShingle | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes Borzakovskyj, A. Gontaruk, O. Kochkin, V. Litovchenko, P. Opilat, V. Petrenko, I. Tartachnyk, V. Characterization and properties |
| title | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_alt | Вплив радіації на характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів |
| title_full | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_fullStr | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_full_unstemmed | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_short | Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes |
| title_sort | radiation influence on characteristics of gap light emitting diodes |
| topic | Characterization and properties |
| topic_facet | Characterization and properties |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138911 |
| work_keys_str_mv | AT borzakovskyja radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT gontaruko radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT kochkinv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT litovchenkop radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT opilatv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT petrenkoi radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT tartachnykv radiationinfluenceoncharacteristicsofgaplightemittingdiodes AT borzakovskyja vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív AT gontaruko vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív AT kochkinv vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív AT litovchenkop vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív AT opilatv vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív AT petrenkoi vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív AT tartachnykv vplivradíacíínaharakteristikifosfídogalíêvihsvítlodíodív |