Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonica...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138927 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862530590587224064 |
|---|---|
| author | Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. |
| author_facet | Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. |
| citation_txt | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally.
Вивчено поведінку межі кристал-розплав оксиду алюмінію на початку та в кінці вирощування сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації. Показано, що при постійній швидкості витягування кристала у холодну зону залежність швидкості кристалізації розплаву від часу може бути немонотонною. Одержано експериментальне підтвердження явища коливань фронту кристалізації у початковому перехідному процесі, раніше передбаченого чисельним моделюванням.
Изучено поведение границы кристалл-расплав оксида алюминия в начале и конце выращивания сапфира методом горизонтально-направленной кристаллизации. Показано, что при постоянной скорости вытягивания кристалла в холодную зону зависимость скорости кристаллизации расплава от времени может вести себя немонотонно. Получено экспериментальное подтверждение явления колебаний фронта кристаллизации в начальном переходном процессе, ранее предсказанного численным моделированием.
|
| first_indexed | 2025-11-24T02:35:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138927 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T02:35:08Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. 2018-06-19T17:18:02Z 2018-06-19T17:18:02Z 2009 Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138927 The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally. Вивчено поведінку межі кристал-розплав оксиду алюмінію на початку та в кінці вирощування сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації. Показано, що при постійній швидкості витягування кристала у холодну зону залежність швидкості кристалізації розплаву від часу може бути немонотонною. Одержано експериментальне підтвердження явища коливань фронту кристалізації у початковому перехідному процесі, раніше передбаченого чисельним моделюванням. Изучено поведение границы кристалл-расплав оксида алюминия в начале и конце выращивания сапфира методом горизонтально-направленной кристаллизации. Показано, что при постоянной скорости вытягивания кристалла в холодную зону зависимость скорости кристаллизации расплава от времени может вести себя немонотонно. Получено экспериментальное подтверждение явления колебаний фронта кристаллизации в начальном переходном процессе, ранее предсказанного численным моделированием. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Technology Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization Особливості перехідного режиму при вирощуванні сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації Article published earlier |
| spellingShingle | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. Technology |
| title | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_alt | Особливості перехідного режиму при вирощуванні сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації |
| title_full | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_fullStr | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_full_unstemmed | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_short | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_sort | transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| topic | Technology |
| topic_facet | Technology |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138927 |
| work_keys_str_mv | AT baranniksv transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT kanischevvn transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT nizhankovskysv transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT stepanenkoam transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT baranniksv osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí AT kanischevvn osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí AT nizhankovskysv osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí AT stepanenkoam osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí |