Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonica...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138927 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by the method of horizontally directed crystallization
за авторством: Grin, L.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Grin, L.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Hydrodynamical conditions in the melt at the growth of sapphire and YAG crystals by horizontal directed crystallization
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Optical and luminescence characteristics of YAG:Ce crystals grown by horizontal directed crystallization in reducing gas medium
за авторством: Nizhankovsky, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nizhankovsky, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Specific growing features of variable section sapphire articles by Stepanov technique
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of melt convection on the dynamics and capture inclusions for growing oxide crystals by HDC
за авторством: Naydenov, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Naydenov, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
The increase of crystal growing rate without damaging the smoothness of interface border
за авторством: Kanishchev, V.N.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kanishchev, V.N.
Опубліковано: (2013)
Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
The application of the free boundary condition to the problem of binary smelt crystallization
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2007)
On the cellular structure period of the crystallization front of a binary melt
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Crystallization of a binary melt under the sample spontaneous cooling-down
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Some peculiarities of the use of sapphire light guides in metallurgy
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
Growing of ¹⁰⁶CdWO₄, ZnWO₄, and ZnMoO₄scintillation crystals for rare events search by low thermal gradient Czochralski technique
за авторством: Galashov, E.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Galashov, E.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical and luminescence properties of Er,Yb:YAG crystals grown by horizontal directional crystallization method
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of CO₃²⁻ and OH⁻ impurities on thermal growing conditions of large-size NaI:Tl crystals and their quality
за авторством: Kudin, K.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kudin, K.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Deagglomeration of aerosil in polishing suspension for chemical-mechanical polishing of sapphire
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
Chemical-mechanical polishing of sapphire by polishing suspension based on aerosil
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
Features of binary melt solidification at variable crystal pulling rate
за авторством: Kanishchev, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kanishchev, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)
Spectral properties of Er-doped yttrium aluminum garnet crystals grown by modified horizontal directional crystallization method
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Charge state of the activator in Ti:sapphire crystals grown by HDC method
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Melt composition and heat treatment at growth of Gd₂Si₂O₇ — based crystals
за авторством: Gerasymov, Ia.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gerasymov, Ia.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Intensification of the process of plasma-induction growing of large profiled tungsten single crystals
за авторством: Shapovalov, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Shapovalov, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)
On the vatiation method in theory of diluted binary melt solidification
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kanischev, V.N., та інші
Опубліковано: (2006)
Crystallization of the fusible component in Ag/Bi/Ag and Ag/Pb/Ag layered film systems
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Purification of raw material for cesium iodide single crystals and impurity concentration by low-temperature directional crystallization
за авторством: Eksperiandova, L.P.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Eksperiandova, L.P.
Опубліковано: (2010)
Influence of crystal growth conditions and carbothermal treatment on activator charge state in Ti:sapphire
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of leucosapphire tubes growing conditions on strength of insulators made of the tubes
за авторством: Vybyvanets, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vybyvanets, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Hollow cathode discharge in low pressure oxygen: transient mode
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bazhenov, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
On the features of crystallization methods used for the purification of aqueous solutions of cesium iodide
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of YAG crystals growth by the Czochralski method in Mo crucibles
за авторством: Arhipov, P., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Arhipov, P., та інші
Опубліковано: (2014)
Production of high-purity zinc single crystals by vertical directed crystallization method
за авторством: Shcherban, A.P., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Shcherban, A.P., та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar+CO atmosphere
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar + CO atmosphere
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
Growth conditions influence on thermally stimulated luminescence of sapphire single crystals
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)
On the binary melt crystallization in temperature field advancing with acceleration
за авторством: Kanischev, V.N.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kanischev, V.N.
Опубліковано: (2010)
On some features of low-temperature mixed crystallization of CsI solutions obtained from industrial wastes
за авторством: Boyarintsev, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Boyarintsev, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)