Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138940 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862538443021615104 |
|---|---|
| author | Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. |
| author_facet | Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. |
| citation_txt | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV.
Вивчено інжекційний струм у високоомних монокристалах TIGaSe₂ до та після опромінення дозами Dγ = 50 і 100 кР та встановлено електричні параметри до та після опромінення. До опромінення концентрація пасток Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, рівноважна концентрація носіїв заряду Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глибина залягання пасток, відповідальних за інжекційний струм, Et = 2,6·10⁻² еВ. Для кристалів, що опромінені Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ; після опромінення Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ.
Изучены инжекционные токи в высокоомных монокристаллах TIGaSe₂ до и после облучения дозами DY = 50 и 100 кР и определены электрические параметры до и после облучения. До облучения концентрация ловушек Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, равновесная концентрация носителей заряда Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глубина залегания ловушек, ответственных за инжекционный ток, Et = 2,6·10⁻² эВ. Для кристаллов, облученных Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ; после облучения Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ.
|
| first_indexed | 2025-11-24T12:46:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138940 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T12:46:38Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. 2018-06-19T17:30:16Z 2018-06-19T17:30:16Z 2009 Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138940 Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV. Вивчено інжекційний струм у високоомних монокристалах TIGaSe₂ до та після опромінення дозами Dγ = 50 і 100 кР та встановлено електричні параметри до та після опромінення. До опромінення концентрація пасток Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, рівноважна концентрація носіїв заряду Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глибина залягання пасток, відповідальних за інжекційний струм, Et = 2,6·10⁻² еВ. Для кристалів, що опромінені Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ; після опромінення Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ. Изучены инжекционные токи в высокоомных монокристаллах TIGaSe₂ до и после облучения дозами DY = 50 и 100 кР и определены электрические параметры до и после облучения. До облучения концентрация ловушек Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, равновесная концентрация носителей заряда Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глубина залегания ловушек, ответственных за инжекционный ток, Et = 2,6·10⁻² эВ. Для кристаллов, облученных Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ; после облучения Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Characterization and properties Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal Вплив γ-радіацн на вольт-амперні характеристики монокристала TIGaSe₂ Article published earlier |
| spellingShingle | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. Characterization and properties |
| title | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_alt | Вплив γ-радіацн на вольт-амперні характеристики монокристала TIGaSe₂ |
| title_full | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_fullStr | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_full_unstemmed | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_short | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_sort | influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of tigase₂ single crystal |
| topic | Characterization and properties |
| topic_facet | Characterization and properties |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138940 |
| work_keys_str_mv | AT ismailovaa influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT achmedzadend influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT shirinovmm influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT aghalievast influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT ismailovaa vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2 AT achmedzadend vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2 AT shirinovmm vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2 AT aghalievast vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2 |