Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal

Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal

Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2009
Автори: Ismailov, A.A., Achmedzade, N.D., Shirinov, M.M., Aghalieva, S.T.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
Теми:
Characterization and properties
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138940
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138940
record_format dspace
spelling Ismailov, A.A.
Achmedzade, N.D.
Shirinov, M.M.
Aghalieva, S.T.
2018-06-19T17:30:16Z
2018-06-19T17:30:16Z
2009
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138940
Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV.
Вивчено інжекційний струм у високоомних монокристалах TIGaSe₂ до та після опромінення дозами Dγ = 50 і 100 кР та встановлено електричні параметри до та після опромінення. До опромінення концентрація пасток Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, рівноважна концентрація носіїв заряду Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глибина залягання пасток, відповідальних за інжекційний струм, Et = 2,6·10⁻² еВ. Для кристалів, що опромінені Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ; після опромінення Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ.
Изучены инжекционные токи в высокоомных монокристаллах TIGaSe₂ до и после облучения дозами DY = 50 и 100 кР и определены электрические параметры до и после облучения. До облучения концентрация ловушек Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, равновесная концентрация носителей заряда Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глубина залегания ловушек, ответственных за инжекционный ток, Et = 2,6·10⁻² эВ. Для кристаллов, облученных Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ; после облучения Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Characterization and properties
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
Вплив γ-радіацн на вольт-амперні характеристики монокристала TIGaSe₂
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
spellingShingle Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
Ismailov, A.A.
Achmedzade, N.D.
Shirinov, M.M.
Aghalieva, S.T.
Characterization and properties
title_short Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
title_full Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
title_fullStr Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
title_full_unstemmed Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
title_sort influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of tigase₂ single crystal
author Ismailov, A.A.
Achmedzade, N.D.
Shirinov, M.M.
Aghalieva, S.T.
author_facet Ismailov, A.A.
Achmedzade, N.D.
Shirinov, M.M.
Aghalieva, S.T.
topic Characterization and properties
topic_facet Characterization and properties
publishDate 2009
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Вплив γ-радіацн на вольт-амперні характеристики монокристала TIGaSe₂
description Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV. Вивчено інжекційний струм у високоомних монокристалах TIGaSe₂ до та після опромінення дозами Dγ = 50 і 100 кР та встановлено електричні параметри до та після опромінення. До опромінення концентрація пасток Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, рівноважна концентрація носіїв заряду Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глибина залягання пасток, відповідальних за інжекційний струм, Et = 2,6·10⁻² еВ. Для кристалів, що опромінені Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ; після опромінення Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ. Изучены инжекционные токи в высокоомных монокристаллах TIGaSe₂ до и после облучения дозами DY = 50 и 100 кР и определены электрические параметры до и после облучения. До облучения концентрация ловушек Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, равновесная концентрация носителей заряда Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глубина залегания ловушек, ответственных за инжекционный ток, Et = 2,6·10⁻² эВ. Для кристаллов, облученных Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ; после облучения Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138940
fulltext
citation_txt Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT ismailovaa influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal
AT achmedzadend influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal
AT shirinovmm influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal
AT aghalievast influenceofγirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal
AT ismailovaa vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2
AT achmedzadend vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2
AT shirinovmm vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2
AT aghalievast vplivγradíacnnavolʹtamperníharakteristikimonokristalatigase2
first_indexed 2025-11-24T12:46:38Z
last_indexed 2025-11-24T12:46:38Z
_version_ 1850846741029453824

Схожі ресурси