Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique

Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique

The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2005
Hauptverfasser: Kozhemyakin, G.N., Ruban, R.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138949
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique / G.N. Kozhemyakin, R.V. Ruban // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 762-764. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138949
record_format dspace
spelling Kozhemyakin, G.N.
Ruban, R.V.
2018-06-19T17:41:54Z
2018-06-19T17:41:54Z
2005
Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique / G.N. Kozhemyakin, R.V. Ruban // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 762-764. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138949
The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been developed and the crystals up to 18 mm in diameter have been grown. The influence of annealing on the crack formation in Gaₓln₁-ₓSb single crystals after cutting thereof has been studied. The crystal annealing at 170℃ for 10-12 h has been found to reduce the number of cracks longer than 0.2 mm.
Определены эффективные коэффициенты распределения Ga согласно модели Острогорского-Мюллера с учетом экспериментальных данных для составов кристаллов Gaₓln₁-ₓSb с содержанием Ga до 0,2. Разработан метод выращивания по Чохральскому, выращены монокристаллы Gaₓln₁-ₓSb диаметром до 18 мм. Изучено влияние отжига на образование трещин после разрезания монокристаллов Gaₓln₁-ₓSb. Показано, что отжиг кристаллов при температуре 170℃ в течение 10-12 часов уменьшает количество трещин длиной более 0,2 мм.
Визначено ефективнi коефiцiєнти розподiлу Ga згiдно моделi Острогорського-Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складiв кристалiв Gaₓln₁-ₓSb iз вмiстом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали Gaₓln₁-ₓSb дiаметром до 18 мм. Вивчено вплив вiдпалу на утворення трiщин пiсля розрiзання монокристалiв Gaₓln₁-ₓSb. Показано, що вiдпал кристалiв при температурi 170℃ протягом 10-12 годин поменшує кiлькiсть трiщин довжиною бiльш нiж 0,2 мм.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
Вирощування монокристалів твердих розчинів GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральського
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
spellingShingle Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
Kozhemyakin, G.N.
Ruban, R.V.
title_short Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
title_full Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
title_fullStr Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
title_full_unstemmed Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
title_sort growing of gaₓin₁-ₓsb single crystals by czochralski technique
author Kozhemyakin, G.N.
Ruban, R.V.
author_facet Kozhemyakin, G.N.
Ruban, R.V.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Вирощування монокристалів твердих розчинів GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральського
description The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been developed and the crystals up to 18 mm in diameter have been grown. The influence of annealing on the crack formation in Gaₓln₁-ₓSb single crystals after cutting thereof has been studied. The crystal annealing at 170℃ for 10-12 h has been found to reduce the number of cracks longer than 0.2 mm. Определены эффективные коэффициенты распределения Ga согласно модели Острогорского-Мюллера с учетом экспериментальных данных для составов кристаллов Gaₓln₁-ₓSb с содержанием Ga до 0,2. Разработан метод выращивания по Чохральскому, выращены монокристаллы Gaₓln₁-ₓSb диаметром до 18 мм. Изучено влияние отжига на образование трещин после разрезания монокристаллов Gaₓln₁-ₓSb. Показано, что отжиг кристаллов при температуре 170℃ в течение 10-12 часов уменьшает количество трещин длиной более 0,2 мм. Визначено ефективнi коефiцiєнти розподiлу Ga згiдно моделi Острогорського-Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складiв кристалiв Gaₓln₁-ₓSb iз вмiстом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали Gaₓln₁-ₓSb дiаметром до 18 мм. Вивчено вплив вiдпалу на утворення трiщин пiсля розрiзання монокристалiв Gaₓln₁-ₓSb. Показано, що вiдпал кристалiв при температурi 170℃ протягом 10-12 годин поменшує кiлькiсть трiщин довжиною бiльш нiж 0,2 мм.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138949
citation_txt Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique / G.N. Kozhemyakin, R.V. Ruban // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 762-764. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT kozhemyakingn growingofgaxin1xsbsinglecrystalsbyczochralskitechnique
AT rubanrv growingofgaxin1xsbsinglecrystalsbyczochralskitechnique
AT kozhemyakingn viroŝuvannâmonokristalívtverdihrozčinívgaxin1xsbmetodomčohralʹsʹkogo
AT rubanrv viroŝuvannâmonokristalívtverdihrozčinívgaxin1xsbmetodomčohralʹsʹkogo
first_indexed 2025-12-07T20:17:53Z
last_indexed 2025-12-07T20:17:53Z
_version_ 1850882049423966208

Ähnliche Einträge