Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique
The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138949 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique / G.N. Kozhemyakin, R.V. Ruban // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 762-764. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862741092364976128 |
|---|---|
| author | Kozhemyakin, G.N. Ruban, R.V. |
| author_facet | Kozhemyakin, G.N. Ruban, R.V. |
| citation_txt | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique / G.N. Kozhemyakin, R.V. Ruban // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 762-764. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been developed and the crystals up to 18 mm in diameter have been grown. The influence of annealing on the crack formation in Gaₓln₁-ₓSb single crystals after cutting thereof has been studied. The crystal annealing at 170℃ for 10-12 h has been found to reduce the number of cracks longer than 0.2 mm.
Определены эффективные коэффициенты распределения Ga согласно модели Острогорского-Мюллера с учетом экспериментальных данных для составов кристаллов Gaₓln₁-ₓSb с содержанием Ga до 0,2. Разработан метод выращивания по Чохральскому, выращены монокристаллы Gaₓln₁-ₓSb диаметром до 18 мм. Изучено влияние отжига на образование трещин после разрезания монокристаллов Gaₓln₁-ₓSb. Показано, что отжиг кристаллов при температуре 170℃ в течение 10-12 часов уменьшает количество трещин длиной более 0,2 мм.
Визначено ефективнi коефiцiєнти розподiлу Ga згiдно моделi Острогорського-Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складiв кристалiв Gaₓln₁-ₓSb iз вмiстом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали Gaₓln₁-ₓSb дiаметром до 18 мм. Вивчено вплив вiдпалу на утворення трiщин пiсля розрiзання монокристалiв Gaₓln₁-ₓSb. Показано, що вiдпал кристалiв при температурi 170℃ протягом 10-12 годин поменшує кiлькiсть трiщин довжиною бiльш нiж 0,2 мм.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:17:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-138949 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T20:17:53Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kozhemyakin, G.N. Ruban, R.V. 2018-06-19T17:41:54Z 2018-06-19T17:41:54Z 2005 Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique / G.N. Kozhemyakin, R.V. Ruban // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 762-764. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138949 The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been developed and the crystals up to 18 mm in diameter have been grown. The influence of annealing on the crack formation in Gaₓln₁-ₓSb single crystals after cutting thereof has been studied. The crystal annealing at 170℃ for 10-12 h has been found to reduce the number of cracks longer than 0.2 mm. Определены эффективные коэффициенты распределения Ga согласно модели Острогорского-Мюллера с учетом экспериментальных данных для составов кристаллов Gaₓln₁-ₓSb с содержанием Ga до 0,2. Разработан метод выращивания по Чохральскому, выращены монокристаллы Gaₓln₁-ₓSb диаметром до 18 мм. Изучено влияние отжига на образование трещин после разрезания монокристаллов Gaₓln₁-ₓSb. Показано, что отжиг кристаллов при температуре 170℃ в течение 10-12 часов уменьшает количество трещин длиной более 0,2 мм. Визначено ефективнi коефiцiєнти розподiлу Ga згiдно моделi Острогорського-Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складiв кристалiв Gaₓln₁-ₓSb iз вмiстом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали Gaₓln₁-ₓSb дiаметром до 18 мм. Вивчено вплив вiдпалу на утворення трiщин пiсля розрiзання монокристалiв Gaₓln₁-ₓSb. Показано, що вiдпал кристалiв при температурi 170℃ протягом 10-12 годин поменшує кiлькiсть трiщин довжиною бiльш нiж 0,2 мм. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique Вирощування монокристалів твердих розчинів GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральського Article published earlier |
| spellingShingle | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique Kozhemyakin, G.N. Ruban, R.V. |
| title | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique |
| title_alt | Вирощування монокристалів твердих розчинів GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральського |
| title_full | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique |
| title_fullStr | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique |
| title_full_unstemmed | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique |
| title_short | Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique |
| title_sort | growing of gaₓin₁-ₓsb single crystals by czochralski technique |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138949 |
| work_keys_str_mv | AT kozhemyakingn growingofgaxin1xsbsinglecrystalsbyczochralskitechnique AT rubanrv growingofgaxin1xsbsinglecrystalsbyczochralskitechnique AT kozhemyakingn viroŝuvannâmonokristalívtverdihrozčinívgaxin1xsbmetodomčohralʹsʹkogo AT rubanrv viroŝuvannâmonokristalívtverdihrozčinívgaxin1xsbmetodomčohralʹsʹkogo |