Superconducting and normal properties of the set of Mo/Si superlattices with variable Si layer thickness

We report the results of the superconducting and kinetic parameter measurements (transition temperature Tc, parallel and perpendicular critical fields Hc₂, resistivity in the normal state) on a set of Mo/Si superconducting superlattices with a constant metal layer thickness dₘₒ=22 A and variable sem...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:1999
Автори: Mikhailov, M.Yu., Yuzephovich, O.I., Pokhila, A.S., Bomze, Yu.V., Fogel, N.Ya., Dmitrenko, I.M., Yulin, S.A., Sidorenko, A.S., Moldovan, O.B.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138982
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Superconducting and normal properties of the set of Mo/Si superlattices with variable Si layer thickness / M.Yu. Mikhailov, O.I. Yuzephovich, A.S. Pokhila, Yu.V. Bomze, N.Ya. Fogel, I.M. Dmitrenko, S.A. Yulin, A.S. Sidorenko, O.B. Moldovan // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 8. — С. 850-856. — Бібліогр.: 38 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:We report the results of the superconducting and kinetic parameter measurements (transition temperature Tc, parallel and perpendicular critical fields Hc₂, resistivity in the normal state) on a set of Mo/Si superconducting superlattices with a constant metal layer thickness dₘₒ=22 A and variable semiconducting one dₛᵢ(14-44 A ). Our data show a monotonic dependence of all measured parameters on dₛᵢ. It is found that the Josephson interlayer coupling energy depends exponentially on the spacer thickness. The data obtained allowed us to determine the characteristic electron tunneling length for amorphous silicon with high precision. It is equal to 3.9 A. Enhancement of interlayer coupling leads to the Mo/Si multilayer transition temperature increasing, in agreement with Horovitz theory and with the experimental data on high-Tc materials.
ISSN:0132-6414