Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline
An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illuminati...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139307 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139307 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Stakhira, P. Aksimentieva, E. Mykytyuk, Z. Cherpak, V. 2018-06-20T04:59:12Z 2018-06-20T04:59:12Z 2005 Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139307 An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illumination, a considerable increase of the current is observed with a reverse bias. The structure photosensitivity is defined mainly by two barriers, namely, by the polymer/porous silicon interphase and the porous silicon/crystalline silicon barrier. Электрический контакт между пористым кремнием с n-типа проводимостью и проводящим полианилином с проводимостью p-типа изготовлен путем электрохимической полимеризации анилина на поверхности пористого кремния. Найдено, что такая гетероструктура демонстрирует выпрямляющие І-V характеристики. При освещении наблюдалось значительное повышение тока при обратном смещении. Фоточувствительность структуры преимущественно определяется двумя барьерами: интерфазой полимер-пористый кремний и пористый кремний-монокристаллический кремний. Електричний контакт мiж поруватим кремнiєм з n-типу провiднiстю i електропровiдним полiмером - полiанiлiном з провiднiстю p-типу створено шляхом електрохiмiчної полiмеризацiї анiлiну на поверхнi поруватого кремнiю. 3найдено, що така гетероструктура демонструє випрямляючi І-V характеристики. При освiтленнi спостерiгалося значне пiдвищення струму при зворотному змiщеннi. Фоточутливiсть структури переважно визначається двома бар'єрами: iнтерфазою полiмер-поруватий кремнiй та поруватий кремнiй-монокристалiчний кремнiй. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline Фотовольтаїчні властивості гетероструктури на основі поруватого кремнію і поліаніліну Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline |
| spellingShingle |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline Stakhira, P. Aksimentieva, E. Mykytyuk, Z. Cherpak, V. |
| title_short |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline |
| title_full |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline |
| title_fullStr |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline |
| title_full_unstemmed |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline |
| title_sort |
photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline |
| author |
Stakhira, P. Aksimentieva, E. Mykytyuk, Z. Cherpak, V. |
| author_facet |
Stakhira, P. Aksimentieva, E. Mykytyuk, Z. Cherpak, V. |
| publishDate |
2005 |
| language |
English |
| container_title |
Functional Materials |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Фотовольтаїчні властивості гетероструктури на основі поруватого кремнію і поліаніліну |
| description |
An electric junction between porous silicon (n-type conductivity) and conductive polyaniline (p-type conductivity) has been made by electrochemical polymerization of aniline on the porous silicon surface. This heterostructure has been found to exhibit rectifying І-V characteristics. Under illumination, a considerable increase of the current is observed with a reverse bias. The structure photosensitivity is defined mainly by two barriers, namely, by the polymer/porous silicon interphase and the porous silicon/crystalline silicon barrier.
Электрический контакт между пористым кремнием с n-типа проводимостью и проводящим полианилином с проводимостью p-типа изготовлен путем электрохимической полимеризации анилина на поверхности пористого кремния. Найдено, что такая гетероструктура демонстрирует выпрямляющие І-V характеристики. При освещении наблюдалось значительное повышение тока при обратном смещении. Фоточувствительность структуры преимущественно определяется двумя барьерами: интерфазой полимер-пористый кремний и пористый кремний-монокристаллический кремний.
Електричний контакт мiж поруватим кремнiєм з n-типу провiднiстю i електропровiдним полiмером - полiанiлiном з провiднiстю p-типу створено шляхом електрохiмiчної полiмеризацiї анiлiну на поверхнi поруватого кремнiю. 3найдено, що така гетероструктура демонструє випрямляючi І-V характеристики. При освiтленнi спостерiгалося значне пiдвищення струму при зворотному змiщеннi. Фоточутливiсть структури переважно визначається двома бар'єрами: iнтерфазою полiмер-поруватий кремнiй та поруватий кремнiй-монокристалiчний кремнiй.
|
| issn |
1027-5495 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139307 |
| citation_txt |
Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 807-809. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT stakhirap photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline AT aksimentievae photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline AT mykytyukz photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline AT cherpakv photovoltaicpropertiesofaheterostructureonthebasisofporoussiliconandpolyaniline AT stakhirap fotovolʹtaíčnívlastivostígeterostrukturinaosnovíporuvatogokremníûípolíanílínu AT aksimentievae fotovolʹtaíčnívlastivostígeterostrukturinaosnovíporuvatogokremníûípolíanílínu AT mykytyukz fotovolʹtaíčnívlastivostígeterostrukturinaosnovíporuvatogokremníûípolíanílínu AT cherpakv fotovolʹtaíčnívlastivostígeterostrukturinaosnovíporuvatogokremníûípolíanílínu |
| first_indexed |
2025-12-07T19:16:27Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:16:27Z |
| _version_ |
1850878184448327680 |