Si as dopant impurity in CdTe

Si as dopant impurity in CdTe

CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregati...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2005
Автори: Fochuk, P.M., Panchuk, O.E.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139311
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139311
record_format dspace
spelling Fochuk, P.M.
Panchuk, O.E.
2018-06-20T05:00:44Z
2018-06-20T05:00:44Z
2005
Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139311
CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregation coefficient in CdTe is exceeds unity (kₛₑᵣᵍ > 1). This peculiarity of Si behavior in CdTe differs it from other IVA group elements. At high Si content in CdTe (~ 10¹⁷ at/cm³), it is mainly contained in precipitates. Their dissolution starts at Т ~ 500 ℃ and the subsequent cooling does not reduce the concentration of electrically active Si form. The dominating Si point defect is Si+ᶜᵈ , although a certain fraction of this impurity forms associates (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ).
Монокристали CdTe<Si> дослiджено вимiрюваннями ефекту Холла пiд тиском пари Cd в iнтервалi температур 200-900 ℃. На основi експериментальних даних припущено, що розчиннiсть Si менша за ~ 3*10¹⁶ ат/см³ at 500-600 ℃. Коефiцiєнт розподiлу Si у CdTe бiльший за одиницю (kₛₑᵣᵍ > 1), що вiдрiзняє його вiд iнших елементiв IVA пiдгрупи елементiв. При високому вмiстi Si (~ 10¹⁷ ат/см³) переважна його бiльшiсть знаходиться у преципiтатах. Їх розчинення починається при ~500 ℃ i наступне охолодження не зменшує концентрацiю електрично активної форми Si. Домiнуючим точковим дефектом є Si+ᶜᵈ, хоча деяка частина його утворює асоцiати (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ).
Монокристаллы CdTe<Si> были исследованы путем измерениями эффекта Холла под давлением пара Cd в интервале температур 200-900 ℃. На основании экспериментальных результатов предположено, что растворимость Si при 500-600 ℃ меньше, чем ~ 3*10¹⁶ ат/см³. Коэффициент распределения Si в CdTe больше единицы (kₛₑᵣᵍ > 1), что отличает его от других элементов IVA подгруппы. При высоком содержании Si (~ 10¹⁷ ат/см³) большая его часть находится в преципитатах. Их растворение начинается при ~500 ℃ и последующее охлаждение не уменьшает концентрацию электрически активной формы Si. Доминирующим точечным дефектом является Si+ᶜᵈ, хотя некоторая его часть образует ассоциаты (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ).
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Si as dopant impurity in CdTe
Si як легуюча домішка у CdTe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Si as dopant impurity in CdTe
spellingShingle Si as dopant impurity in CdTe
Fochuk, P.M.
Panchuk, O.E.
title_short Si as dopant impurity in CdTe
title_full Si as dopant impurity in CdTe
title_fullStr Si as dopant impurity in CdTe
title_full_unstemmed Si as dopant impurity in CdTe
title_sort si as dopant impurity in cdte
author Fochuk, P.M.
Panchuk, O.E.
author_facet Fochuk, P.M.
Panchuk, O.E.
publishDate 2005
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Si як легуюча домішка у CdTe
description CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregation coefficient in CdTe is exceeds unity (kₛₑᵣᵍ > 1). This peculiarity of Si behavior in CdTe differs it from other IVA group elements. At high Si content in CdTe (~ 10¹⁷ at/cm³), it is mainly contained in precipitates. Their dissolution starts at Т ~ 500 ℃ and the subsequent cooling does not reduce the concentration of electrically active Si form. The dominating Si point defect is Si+ᶜᵈ , although a certain fraction of this impurity forms associates (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ). Монокристали CdTe<Si> дослiджено вимiрюваннями ефекту Холла пiд тиском пари Cd в iнтервалi температур 200-900 ℃. На основi експериментальних даних припущено, що розчиннiсть Si менша за ~ 3*10¹⁶ ат/см³ at 500-600 ℃. Коефiцiєнт розподiлу Si у CdTe бiльший за одиницю (kₛₑᵣᵍ > 1), що вiдрiзняє його вiд iнших елементiв IVA пiдгрупи елементiв. При високому вмiстi Si (~ 10¹⁷ ат/см³) переважна його бiльшiсть знаходиться у преципiтатах. Їх розчинення починається при ~500 ℃ i наступне охолодження не зменшує концентрацiю електрично активної форми Si. Домiнуючим точковим дефектом є Si+ᶜᵈ, хоча деяка частина його утворює асоцiати (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ). Монокристаллы CdTe<Si> были исследованы путем измерениями эффекта Холла под давлением пара Cd в интервале температур 200-900 ℃. На основании экспериментальных результатов предположено, что растворимость Si при 500-600 ℃ меньше, чем ~ 3*10¹⁶ ат/см³. Коэффициент распределения Si в CdTe больше единицы (kₛₑᵣᵍ > 1), что отличает его от других элементов IVA подгруппы. При высоком содержании Si (~ 10¹⁷ ат/см³) большая его часть находится в преципитатах. Их растворение начинается при ~500 ℃ и последующее охлаждение не уменьшает концентрацию электрически активной формы Si. Доминирующим точечным дефектом является Si+ᶜᵈ, хотя некоторая его часть образует ассоциаты (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ).
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139311
citation_txt Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT fochukpm siasdopantimpurityincdte
AT panchukoe siasdopantimpurityincdte
AT fochukpm siâkleguûčadomíškaucdte
AT panchukoe siâkleguûčadomíškaucdte
first_indexed 2025-12-07T21:16:25Z
last_indexed 2025-12-07T21:16:25Z
_version_ 1850885732746395648

Схожі ресурси