Si as dopant impurity in CdTe

• Опубліковано в: : Functional Materials
• Дата: 2005
• Автори: Fochuk, P.M., Panchuk, O.E.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139311
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregati...