Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates

• Veröffentlicht in: Functional Materials
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I., Tkachuk, A.I.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139315
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates / O.N. Tsarenko, S.I. Ryabets, A.I. Tkachuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 526-530. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

The epitaxial layers of Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ quaternary solid solution (thickness of 2 to 11 µm, Nd ≤ 10⁵ сm⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ сm⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ сm²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К), lattice-matched with KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, and РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ substrates, were grown in a wide composition range by the liquid phase epitaxy technique at a programmed overcooling of supersaturated melt-solution. Методом рiдинної епiтаксiї при програмному переохолодженнi пересиченого розчину-розплаву на пiдкладках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, і РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ у широкому дiапазонi складiв вирощенi iзоперiоднi епiтаксiйнi шари чотирикомпонентних твердих розчинiв Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ товщиною 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К. Методом жидкофазной эпитаксии при программном переохлаждении пересыщенного раствора-расплава на подложках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, и РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ в широком диапазоне составов выращены изопериодные эпитаксиальные слои четырёхкомпонентных твёрдых растворов Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ толщиной 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ и µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К.