Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals

The defect structure of Csl-CsBr mixed crystals has been studied by electroconductivity and thermostimulated depolarization current (TSDC) methods. The formation of Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ solid solution is found to be accompanied by increase of conductivity as compared to that of pure Csl. The physical proce...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Functional Materials
Datum:2005
Hauptverfasser: Garapyn, I.V., Hud, I.Z., Pavlyk, B.V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139316
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals / I.V. Garapyn, I.Z. Hud, B.V. Pavlyk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 735-737. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862574601633005568
author Garapyn, I.V.
Hud, I.Z.
Pavlyk, B.V.
author_facet Garapyn, I.V.
Hud, I.Z.
Pavlyk, B.V.
citation_txt Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals / I.V. Garapyn, I.Z. Hud, B.V. Pavlyk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 735-737. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Functional Materials
description The defect structure of Csl-CsBr mixed crystals has been studied by electroconductivity and thermostimulated depolarization current (TSDC) methods. The formation of Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ solid solution is found to be accompanied by increase of conductivity as compared to that of pure Csl. The physical processes causing the appearаnce of TSDC maxima at 300 К and 385 К have been considered. The results obtained evidence the
 increase of anion vacancy concentration and unchanged concentration of cation vacancies in Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ mixed crystals. Дослiджено дефектну структуру змiшаних кристалiв Csl-CsBr методами електропровiдностi та струмiв термостимульованої деполяризацiї (ТСД). Встановлено, що утворення твердого розчину Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ супроводжується збiльшенням провiдностi порiвняно з провiднiстю чистого Csl. Проаналiзовано фiзичнi процеси, що спричиняють появу максимумiв ТСД при температурах 300 К та 385 К. Одержанi результати свiдчать про пiдвищення концентрацiї анiонних та незмiнну концентрацiю катiонних вакансiй в змiшаних кристалах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. Дефектная структура смешанных кристаллов Csl-CsBr исследована методами электропроводности и токов термостимулированной деполяризации (ТСД). -Установлено, что возникновение твёрдого раствора Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ сопровождается увеличением проводимости по сравнению с проводимостью чистого Csl. Проанализированы физические процессы, обусловливающие возникновение максимумов ТСД при температурах 300 К и 385 К. Полученные результаты свидетельствуют о повышении концентрации анионных и неизменной концентрации катионных вакансий в смешанных кристаллах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇.
first_indexed 2025-11-26T10:05:15Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139316
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1027-5495
language English
last_indexed 2025-11-26T10:05:15Z
publishDate 2005
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
record_format dspace
spelling Garapyn, I.V.
Hud, I.Z.
Pavlyk, B.V.
2018-06-20T05:02:38Z
2018-06-20T05:02:38Z
2005
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals / I.V. Garapyn, I.Z. Hud, B.V. Pavlyk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 735-737. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139316
The defect structure of Csl-CsBr mixed crystals has been studied by electroconductivity and thermostimulated depolarization current (TSDC) methods. The formation of Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ solid solution is found to be accompanied by increase of conductivity as compared to that of pure Csl. The physical processes causing the appearаnce of TSDC maxima at 300 К and 385 К have been considered. The results obtained evidence the
 increase of anion vacancy concentration and unchanged concentration of cation vacancies in Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ mixed crystals.
Дослiджено дефектну структуру змiшаних кристалiв Csl-CsBr методами електропровiдностi та струмiв термостимульованої деполяризацiї (ТСД). Встановлено, що утворення твердого розчину Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ супроводжується збiльшенням провiдностi порiвняно з провiднiстю чистого Csl. Проаналiзовано фiзичнi процеси, що спричиняють появу максимумiв ТСД при температурах 300 К та 385 К. Одержанi результати свiдчать про пiдвищення концентрацiї анiонних та незмiнну концентрацiю катiонних вакансiй в змiшаних кристалах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇.
Дефектная структура смешанных кристаллов Csl-CsBr исследована методами электропроводности и токов термостимулированной деполяризации (ТСД). -Установлено, что возникновение твёрдого раствора Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ сопровождается увеличением проводимости по сравнению с проводимостью чистого Csl. Проанализированы физические процессы, обусловливающие возникновение максимумов ТСД при температурах 300 К и 385 К. Полученные результаты свидетельствуют о повышении концентрации анионных и неизменной концентрации катионных вакансий в смешанных кристаллах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
Дефектоутворення у змiшаних кристалах Csl-CsBr
Article
published earlier
spellingShingle Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
Garapyn, I.V.
Hud, I.Z.
Pavlyk, B.V.
title Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
title_alt Дефектоутворення у змiшаних кристалах Csl-CsBr
title_full Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
title_fullStr Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
title_full_unstemmed Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
title_short Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
title_sort defect formation in csi-csbr mixed crystals
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139316
work_keys_str_mv AT garapyniv defectformationincsicsbrmixedcrystals
AT hudiz defectformationincsicsbrmixedcrystals
AT pavlykbv defectformationincsicsbrmixedcrystals
AT garapyniv defektoutvorennâuzmišanihkristalahcslcsbr
AT hudiz defektoutvorennâuzmišanihkristalahcslcsbr
AT pavlykbv defektoutvorennâuzmišanihkristalahcslcsbr