Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method

• Published in: Functional Materials
• Date: 2005
• Main Authors: Druzhinin, A.A., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.M., Gij, Ya.V.
• Format: Article
• Language: English
• Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139317
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 738-741. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Growth peculiarities of doped Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.01-0.05) solid solution whiskers of 1 to 100 µm in diameter in closed bromide system by chemical transport reactions method have been investigated. А dimensional dependence of specific resistance at 300 К has been revealed. The Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.05) whiskers of 30 to 70 µm in diameter with dopant concentration in the vicinity of metal-insulator transition were obtained. Substantial changes of the specific resistance and gauge factor of the crystals depending on their diameters has been observed in temperature range 4.2-50 К. Методом хiмiчних транспортних реакцiй у закритiй бромiднiй системi дослiджено особливостi вирощування легованих ниткоподiбних кристалiв твердого розчину Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) рiзного дiаметра (0,1-100 мкм). Встановлено розмiрну залежнiсть питомого опору кристалiв при Т = 300 К. Одержано легованi зразки Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) рiзного дiаметра (30-70 мкм) з концентрацiєю легуючих домiшок поблизу переходу метал-дiелектрик. Виявлено iстотну змiну їх питомого опору та коефiцiєнта тензочутливостi у температурнiй областi 4,2-50 К в залежностi вiд дiаметра кристалiв. Методом химических транспортных реакций в закрытой бромидной системе исследованы особенности выращивания легированных нитевидных кристаллов твердого раствора Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) разного диаметра (0,1-100 мкм). Установлена размерная зависимость удельного сопротивления кристаллов при Т = 300 К. Получены легированные образцы Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) разного диаметра (30-70 мкм) с концентрацией легирующих примесей вблизи перехода металл-диэлектрик. Обнаружены существенные изменения их удельного сопротивления и коэффициента тензочувствительности в температурной области 4,2-50 К в зависимости от диаметра кристаллов.