Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
Growth peculiarities of doped Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.01-0.05) solid solution whiskers of 1 to 100 µm in diameter in closed bromide system by chemical transport reactions method have been investigated. А dimensional dependence of specific resistance at 300 К has been revealed. The Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.05) whisk...
Saved in:
| Published in: | Functional Materials |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139317 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 738-741. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707528742207488 |
|---|---|
| author | Druzhinin, A.A. Ostrovskii, I.P. Khoverko, Yu.M. Gij, Ya.V. |
| author_facet | Druzhinin, A.A. Ostrovskii, I.P. Khoverko, Yu.M. Gij, Ya.V. |
| citation_txt | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 738-741. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Functional Materials |
| description | Growth peculiarities of doped Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.01-0.05) solid solution whiskers of 1 to 100 µm in diameter in closed bromide system by chemical transport reactions method have been investigated. А dimensional dependence of specific resistance at 300 К has been revealed. The Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.05) whiskers of 30 to 70 µm in diameter with dopant concentration in the vicinity of metal-insulator transition were obtained. Substantial changes of the specific resistance and gauge factor of the crystals depending on their diameters has been observed in temperature range 4.2-50 К.
Методом хiмiчних транспортних реакцiй у закритiй бромiднiй системi дослiджено особливостi вирощування легованих ниткоподiбних кристалiв твердого розчину Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) рiзного дiаметра (0,1-100 мкм). Встановлено розмiрну залежнiсть питомого опору кристалiв при Т = 300 К. Одержано легованi зразки Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) рiзного дiаметра (30-70 мкм) з концентрацiєю легуючих домiшок поблизу переходу метал-дiелектрик. Виявлено iстотну змiну їх питомого опору та коефiцiєнта тензочутливостi у температурнiй областi 4,2-50 К в залежностi вiд дiаметра кристалiв.
Методом химических транспортных реакций в закрытой бромидной системе исследованы особенности выращивания легированных нитевидных кристаллов твердого раствора Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) разного диаметра (0,1-100 мкм). Установлена размерная зависимость удельного сопротивления кристаллов при Т = 300 К. Получены легированные образцы Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) разного диаметра (30-70 мкм) с концентрацией легирующих примесей вблизи перехода металл-диэлектрик. Обнаружены существенные изменения их удельного сопротивления и коэффициента тензочувствительности в температурной области 4,2-50 К в зависимости от диаметра кристаллов.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:05:25Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139317 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-5495 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:05:25Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Druzhinin, A.A. Ostrovskii, I.P. Khoverko, Yu.M. Gij, Ya.V. 2018-06-20T05:03:09Z 2018-06-20T05:03:09Z 2005 Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 738-741. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139317 Growth peculiarities of doped Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.01-0.05) solid solution whiskers of 1 to 100 µm in diameter in closed bromide system by chemical transport reactions method have been investigated. А dimensional dependence of specific resistance at 300 К has been revealed. The Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.05) whiskers of 30 to 70 µm in diameter with dopant concentration in the vicinity of metal-insulator transition were obtained. Substantial changes of the specific resistance and gauge factor of the crystals depending on their diameters has been observed in temperature range 4.2-50 К. Методом хiмiчних транспортних реакцiй у закритiй бромiднiй системi дослiджено особливостi вирощування легованих ниткоподiбних кристалiв твердого розчину Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) рiзного дiаметра (0,1-100 мкм). Встановлено розмiрну залежнiсть питомого опору кристалiв при Т = 300 К. Одержано легованi зразки Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) рiзного дiаметра (30-70 мкм) з концентрацiєю легуючих домiшок поблизу переходу метал-дiелектрик. Виявлено iстотну змiну їх питомого опору та коефiцiєнта тензочутливостi у температурнiй областi 4,2-50 К в залежностi вiд дiаметра кристалiв. Методом химических транспортных реакций в закрытой бромидной системе исследованы особенности выращивания легированных нитевидных кристаллов твердого раствора Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) разного диаметра (0,1-100 мкм). Установлена размерная зависимость удельного сопротивления кристаллов при Т = 300 К. Получены легированные образцы Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) разного диаметра (30-70 мкм) с концентрацией легирующих примесей вблизи перехода металл-диэлектрик. Обнаружены существенные изменения их удельного сопротивления и коэффициента тензочувствительности в температурной области 4,2-50 К в зависимости от диаметра кристаллов. en НТК «Інститут монокристалів» НАН України Functional Materials Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method Особливостi вирощування ниткоподiбних кристалiв Si-Ge методом ХТР Article published earlier |
| spellingShingle | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method Druzhinin, A.A. Ostrovskii, I.P. Khoverko, Yu.M. Gij, Ya.V. |
| title | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method |
| title_alt | Особливостi вирощування ниткоподiбних кристалiв Si-Ge методом ХТР |
| title_full | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method |
| title_fullStr | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method |
| title_full_unstemmed | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method |
| title_short | Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method |
| title_sort | peculiarities of si-ge whisker growing by ctr method |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139317 |
| work_keys_str_mv | AT druzhininaa peculiaritiesofsigewhiskergrowingbyctrmethod AT ostrovskiiip peculiaritiesofsigewhiskergrowingbyctrmethod AT khoverkoyum peculiaritiesofsigewhiskergrowingbyctrmethod AT gijyav peculiaritiesofsigewhiskergrowingbyctrmethod AT druzhininaa osoblivostiviroŝuvannânitkopodibnihkristalivsigemetodomhtr AT ostrovskiiip osoblivostiviroŝuvannânitkopodibnihkristalivsigemetodomhtr AT khoverkoyum osoblivostiviroŝuvannânitkopodibnihkristalivsigemetodomhtr AT gijyav osoblivostiviroŝuvannânitkopodibnihkristalivsigemetodomhtr |