Зображення обкладинки

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method

Growth peculiarities of doped Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.01-0.05) solid solution whiskers of 1 to 100 µm in diameter in closed bromide system by chemical transport reactions method have been investigated. А dimensional dependence of specific resistance at 300 К has been revealed. The Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.05) whisk...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2005
Автори:	Druzhinin, A.A., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.M., Gij, Ya.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139317
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 738-741. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Quantum magnetoresistance in Si &lt;B, Ni&gt; whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)

Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)

Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014)

Critical fields and features of electromagnetic transport of Bi2Se3 whiskers at low temperatures
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

The influence of SiC and Al2O3 whiskers on the properties of whisker-reinforced cBN-based composites
за авторством: Ju. Ju. Rumjantseva, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of reinforcement by the whiskers of Si₃N₄ and Mg₂B₂O₅ on the properties of cBN-based composites
за авторством: Rumiantseva, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Epistatic gene interactions GPA1 and SLR1, CTR1 and ALF3 in inheritance of traits Arabidopsis root system
за авторством: S. G. Khablak
Опубліковано: (2016)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD
за авторством: I. K. Kovalchuk, та інші
Опубліковано: (2007)