Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching
The ensemble of point defects in CdTе undoped single crystals has been modeled. Two extreme cases were calculated: full equilibrium and quenching. Dependences of the point defect and free carrier concentrations on technological parameters of growing, post-growth annealing in Cd vapor, and the sample...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | Kosyak, V.V., Opanasyuk, A.S., Protsenko, I.Yu. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139323 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching / V.V. Kosyak, A.S. Opanasyuk, I.Yu. Protsenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 797-806. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films
за авторством: Kosyak, V.V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019) -
Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006) -
High-temperature injection spectroscopy of deep traps in CdTe polycrystalline films
за авторством: Opanasyuk, A.S., та інші
Опубліковано: (2003)