Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1999
• 1. Verfasser: Богод, Ю.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
• Schlagworte: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹. В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹. The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹.