Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле

В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1999
1. Verfasser: Богод, Ю.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139327
record_format dspace
spelling Богод, Ю.А.
2018-06-20T05:17:15Z
2018-06-20T05:17:15Z
1999
Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327
В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹.
В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹.
The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
Generation of nonequilibrium phonons in bismuth in the quantizing magnetic field
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
spellingShingle Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
Богод, Ю.А.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
title_full Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
title_fullStr Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
title_full_unstemmed Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
title_sort генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
author Богод, Ю.А.
author_facet Богод, Ю.А.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 1999
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Generation of nonequilibrium phonons in bismuth in the quantizing magnetic field
description В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹. В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹. The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327
citation_txt Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT bogodûa generaciâneravnovesnyhfononovvvismutevkvantuûŝemmagnitnompole
AT bogodûa generationofnonequilibriumphononsinbismuthinthequantizingmagneticfield
first_indexed 2025-12-02T11:57:32Z
last_indexed 2025-12-02T11:57:32Z
_version_ 1850862466108489728