Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле
В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідн...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1999 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862661555657637888 |
|---|---|
| author | Богод, Ю.А. |
| author_facet | Богод, Ю.А. |
| citation_txt | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹.
В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹.
The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹.
|
| first_indexed | 2025-12-02T11:57:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139327 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T11:57:32Z |
| publishDate | 1999 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Богод, Ю.А. 2018-06-20T05:17:15Z 2018-06-20T05:17:15Z 1999 Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле / Ю.А. Богод // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 11. — С. 1203-1210. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327 В сильних схрещених електричному Е і магнітному Н полях, в режимі генерації фононів, досліджено напругу монокристала Ві в напрямку [ExH] (поперечна напруга Е± ). Одержано інформацію про акустоерс вісмуту Еₑᵃ, яка формує на вольт-амперних j-E± характеристиках ділянки з від’ємною диференційною провідністю. Акустоерс вимірювалась як абсолютна величина різниці між поперечними напругами до і після переходу зразка до режиму генерації фононів. Знайдено, що залежність акустоэрс від квантуючого магнітного поля не є монотонною. Це пов’язується з ос-циляціями в магнітному полі швидкості електрон-фононної генерації dN^/dt, тобто з осциляціями частоти фонон-електронних Зіткнень Тₚₑ⁻¹. В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |ExH| (поперечное напряжение Е±). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eₑᵃ, формирующей на вольт-амперных j-Е± характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации dN^/dt, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tₚₑ⁻¹. The voltage of single crystal Bi is investigated in the direction [ExH] (E± is the transverse voltage) in strong crossed electric E and magnetic II fields under the condition of phonon generation. The information has been derived about the electronic acousto-emf Eₑᵃ of Bi responsible for the regions of negative differential conductivity in the current-voltage characteristics j-E± . The acousto-emf is measured as an absolute value of the transverse voltage difference before and after the sample changes into the phonon generation condition. The dependence of the acousto-emf upon the quantizing magnetic field is found to be nonmonotonous. This is attributed to the oscillation of the electron-phonon generation rate dN^/dt in the magnetic field, or, in other words, to the oscillations of the phonon-electron collision frequency tₚₑ⁻¹. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле Generation of nonequilibrium phonons in bismuth in the quantizing magnetic field Article published earlier |
| spellingShingle | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле Богод, Ю.А. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
| title_alt | Generation of nonequilibrium phonons in bismuth in the quantizing magnetic field |
| title_full | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
| title_fullStr | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
| title_full_unstemmed | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
| title_short | Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
| title_sort | генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139327 |
| work_keys_str_mv | AT bogodûa generaciâneravnovesnyhfononovvvismutevkvantuûŝemmagnitnompole AT bogodûa generationofnonequilibriumphononsinbismuthinthequantizingmagneticfield |