Возникновение pелаксации электросопротивления в монокристаллах YBaCuO под влиянием гидpостатического давления и скачкообpазного изменения темпеpатуpы - Оболенский, М.А.; Балла, Д.Д.; Бондаренко, А.В.; Вовк, Р.В.; Продан, А.А.; Иванова, Т.Ф. (Физика низких температур, 1999)
Исследовано влияние гидростатического давления на барические, температурные и временные зависимости проводимости в аb-плоскости монокристаллов YBa₂Cu₃O₇₋ₓ с различным содержанием кислорода (0,1 < x < 0,5). Показано, что в образцах с недостатком кислорода (x> 0,2) посредством ваpиации температуры и давления может быть индуцировано неравновесное состояние, при котором следует разделять эффекты, вызванные изменением объема элементарной ячейки и перераспределением кислорода в плоскостях Cu-O. Определены характерные времена релаксации проводимости под влиянием давления и в процессе отжига при комнатных температурах, сделан вывод об одинаковой природе данных процессов. Досліджено вплив гідростатичного тиску на баричні, температурні і часові залежності провідності в аb-площині монокристалів YBa₂Cu₃O₇₋ₓ з різним вмістом кисню (0,1 < х < 0,5). Показано, що в зразках з нестачею кисню (х> 0,2) за допомогою варіації температури і тиску може бути індуковано нерівноважний стан, при якому слід розрізняти ефекти, викликані зміною об’єму елементарної гратки і перерозподілом кисню в площинах Cu-O. Визначено характерні часи релаксації провідності під впливом тиску та в процесі відпалювання при кімнатних температурах, зроблено висновок про однакову природу даних процесів. The effect of hydrostatic pressure on the baric, temperature and time dependences of conductivity in the afe-plane of YBa₂Cu₃O₇₋ₓ single crystals with different oxygen contents was investigated. It is shown that in oxygen-deficient samples, x > 0.2, the nonequilibrium state may be induced by the temperature and pressure variations. It is necessary to distinguish the changes induced by the variation of the unit sell volume and by oxygen redistribution in the Cu-O planes. The characteristic times of conductivity relaxation under the influence of pressure and during annealing at room temperatures were estimated, and is concluded that the processes are of the same physical origin.