К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1999
• Hauptverfasser: Иванов, М.А., Локтев, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
• Schlagworte: Кpаткие сообщения
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139346
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным. Запропоновано механізм формування неоднорідного, що складається з доменів металічної та діелектричної фаз основного стану слабко легованих систем. Він полягяє в тому, що утворення зарядово-нейтральних металічних областей з якомога більшою концентрацією вільних носіїв (отже і спричиняючих іх допантів) виявляється термодинамічно вигідним. The mechanism of the formation of an inhomogeneous ground state which consists of domains of metallic and insulating phases is proposed. It is shown that the formation of the charge-neutral metallic areas with the possibly largest free carrier concentration (and consequently dopants which create them) proves to be thermodynamically advantageous.