К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования

Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:1999
Main Authors: Иванов, М.А., Локтев, В.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139346
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862734616480186368
author Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
author_facet Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
citation_txt К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным. Запропоновано механізм формування неоднорідного, що складається з доменів металічної та діелектричної фаз основного стану слабко легованих систем. Він полягяє в тому, що утворення зарядово-нейтральних металічних областей з якомога більшою концентрацією вільних носіїв (отже і спричиняючих іх допантів) виявляється термодинамічно вигідним. The mechanism of the formation of an inhomogeneous ground state which consists of domains of metallic and insulating phases is proposed. It is shown that the formation of the charge-neutral metallic areas with the possibly largest free carrier concentration (and consequently dopants which create them) proves to be thermodynamically advantageous.
first_indexed 2025-12-07T19:44:06Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139346
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:44:06Z
publishDate 1999
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
2018-06-20T05:39:51Z
2018-06-20T05:39:51Z
1999
К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139346
Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным.
Запропоновано механізм формування неоднорідного, що складається з доменів металічної та діелектричної фаз основного стану слабко легованих систем. Він полягяє в тому, що утворення зарядово-нейтральних металічних областей з якомога більшою концентрацією вільних носіїв (отже і спричиняючих іх допантів) виявляється термодинамічно вигідним.
The mechanism of the formation of an inhomogeneous ground state which consists of domains of metallic and insulating phases is proposed. It is shown that the formation of the charge-neutral metallic areas with the possibly largest free carrier concentration (and consequently dopants which create them) proves to be thermodynamically advantageous.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Кpаткие сообщения
К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
On the theory of phase separation of the systems which become metallic because of doping
Article
published earlier
spellingShingle К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
Кpаткие сообщения
title К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_alt On the theory of phase separation of the systems which become metallic because of doping
title_full К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_fullStr К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_full_unstemmed К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_short К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_sort к теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
topic Кpаткие сообщения
topic_facet Кpаткие сообщения
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139346
work_keys_str_mv AT ivanovma kteoriifazovogorassloeniâsistemmetalliziruûŝihsâvsledstviedopirovaniâ
AT loktevvm kteoriifazovogorassloeniâsistemmetalliziruûŝihsâvsledstviedopirovaniâ
AT ivanovma onthetheoryofphaseseparationofthesystemswhichbecomemetallicbecauseofdoping
AT loktevvm onthetheoryofphaseseparationofthesystemswhichbecomemetallicbecauseofdoping