К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1999
• Hauptverfasser: Иванов, М.А., Локтев, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
• Schlagworte: Кpаткие сообщения
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139346
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и...