Simulation of the local electric field in tetragonal phase of BaTiO₃
The region of possible combinations of electronic dipole polarizability and effective charges of ions in BaTiO₃ structure at T = 293 К is established. It is shown that electronic polarizability of apical О²⁻ ion is anisotropic. The results obtained can be used for the computer simulations of BaTiO₃...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| ISSN: | 1027-5495 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139457 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation of the local electric field in tetragonal phase of BaTiO₃ / A.A. Yatsenko, A.V. Yatsenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 586-589. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | The region of possible combinations of electronic dipole polarizability and effective charges of ions in BaTiO₃ structure at T = 293 К is established. It is shown that electronic polarizability of apical О²⁻ ion is anisotropic. The results obtained can be used for the computer simulations of BaTiO₃ structure peculiarities.
Установлена область возможных комбинаций электронной дипольной поляризуемости и эффективных зарядов ионов в кристаллах BaTiO₃ при T = 293 К. Показано, что электронная поляризуемость апикальных ионов О²⁻ анизотропна. Полученные данные можно использовать для моделирования особенностей структуры BaTiO₃ .
Встановлено область ймовірних комбінацій значень електронної дипольної поляри-зовністі та ефективних зарядів іонів у кристалі ВаТІОз за T = 293 К. Показано, що дипольна електронна поляризовність апікальних іонів О²⁻ суттєво анізотропна. Отримані дані можна використовувати для моделювання особливостей структури ВаТІО₃
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-5495 |