Simulation of the local electric field in tetragonal phase of BaTiO₃

The region of possible combinations of electronic dipole polarizability and effective charges of ions in BaTiO₃ structure at T = 293 К is established. It is shown that electronic polarizability of apical О²⁻ ion is anisotropic. The results obtained can be used for the computer simulations of BaTiO₃...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Functional Materials
Дата:2004
ISSN:1027-5495
Автори: Yatsenko, A.A., Yatsenko, A.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139457
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Simulation of the local electric field in tetragonal phase of BaTiO₃ / A.A. Yatsenko, A.V. Yatsenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 586-589. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:The region of possible combinations of electronic dipole polarizability and effective charges of ions in BaTiO₃ structure at T = 293 К is established. It is shown that electronic polarizability of apical О²⁻ ion is anisotropic. The results obtained can be used for the computer simulations of BaTiO₃ structure peculiarities. Установлена область возможных комбинаций электронной дипольной поляризуемости и эффективных зарядов ионов в кристаллах BaTiO₃ при T = 293 К. Показано, что электронная поляризуемость апикальных ионов О²⁻ анизотропна. Полученные данные можно использовать для моделирования особенностей структуры BaTiO₃ . Встановлено область ймовірних комбінацій значень електронної дипольної поляри-зовністі та ефективних зарядів іонів у кристалі ВаТІОз за T = 293 К. Показано, що дипольна електронна поляризовність апікальних іонів О²⁻ суттєво анізотропна. Отримані дані можна використовувати для моделювання особливостей структури ВаТІО₃
ISSN:1027-5495