Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy

Using methods of photodielectric spectroscopy, studies have been carried out of the energy level structure of the defect complexes in isovalently doped zinc selenide crystals. On variation of light wavelength (λ), small changes in effective values of the real λ' and imaginary є'' part...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2004
Автори: Ryzhikov, V., Starzhinskiy, N., Chujai, O., Migal, V., Komar, V., Katrunov, K., Oleinik, S., Zenya, I.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139475
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy / V. Ryzhikov, N.Starzhinskiy, O. Chujai, V. Migal’, V. Komar’, K. Katrunov, S. Oleinik, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862750114951462912
author Ryzhikov, V.
Starzhinskiy, N.
Chujai, O.
Migal, V.
Komar, V.
Katrunov, K.
Oleinik, S.
Zenya, I.
author_facet Ryzhikov, V.
Starzhinskiy, N.
Chujai, O.
Migal, V.
Komar, V.
Katrunov, K.
Oleinik, S.
Zenya, I.
citation_txt Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy / V. Ryzhikov, N.Starzhinskiy, O. Chujai, V. Migal’, V. Komar’, K. Katrunov, S. Oleinik, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Functional Materials
description Using methods of photodielectric spectroscopy, studies have been carried out of the energy level structure of the defect complexes in isovalently doped zinc selenide crystals. On variation of light wavelength (λ), small changes in effective values of the real λ' and imaginary є'' parts of complex dielectric permittivity were measured in the low frequency (1-50 kHz) region using a high sensitivity AC bridge. Different configurations were used of electric and light fields in the crystals. The local energy level spectrum was determined from ε′(λ)-ε′′(λ) diagrams presented in the complex plane. Analysis has been carried out of relationship between characteristic features of these diagrams and parameters of photoactive states of different nature. Effects are discussed of the surface potential and band bending upon energetics of the local states. Методами фотодиэлектрической спектроскопии проведены исследования структуры энергетических уровней дефектных комплексов в изовалентно легированных кристаллах селенида цинка. При варьировании длины волны света (λ) с помощью высокочувствительных мостов переменного тока измерены малые изменения эффективных значений действительной λ' и мнимой λ'' частей комплексной диэлектрической проницаемости образцов в низкочастотной (1-50 кГц) области. Использовались различные конфигурации электрических и световых полей в кристаллах. Спектр локальных энергетических уровней определялся из диаграмм ε′(λ)-ε′′(λ), представленных в комплексной плоскости. Выполнен анализ связи характерных особенностей диаграмм с параметрами фотоактивных состояний различной природы. Обсуждается влияние поверхностного потенциала и изгиба зон на энергетику локальных состояний. Методами Фотодієлєктричної спектроскопи проведено досліджєння структури енергетичних рівнів дефектних комплексів в ізовалентно легованих кристалах селеніду цинку. При варіюванні довжини хвилі світла (λ) за допомогою високочутливих мостів змінного струму виміряно малі зміни ефективних значень дійсної λ' та уявної λ" частин комплексної діелектричної проникності зразків у низькочастотному (1-50 кГц) діапазоні. Використовувалися різні конфігурації електричних та світлових полів у кристалах. Спектр локальних енергетичних рівнів визначався із діаграм ε′(λ)-ε′′(λ), наведених у комплексній площині. Зроблено аналіз зв’язку характерних особливостей діаграм з параметрами фотоактивних станів різної природи. Обговорюється вплив поверхневого потенціалу та вигину зон на енергетику локальних станів.
first_indexed 2025-12-07T21:04:13Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139475
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1027-5495
language English
last_indexed 2025-12-07T21:04:13Z
publishDate 2004
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
record_format dspace
spelling Ryzhikov, V.
Starzhinskiy, N.
Chujai, O.
Migal, V.
Komar, V.
Katrunov, K.
Oleinik, S.
Zenya, I.
2018-06-20T13:24:05Z
2018-06-20T13:24:05Z
2004
Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy / V. Ryzhikov, N.Starzhinskiy, O. Chujai, V. Migal’, V. Komar’, K. Katrunov, S. Oleinik, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139475
Using methods of photodielectric spectroscopy, studies have been carried out of the energy level structure of the defect complexes in isovalently doped zinc selenide crystals. On variation of light wavelength (λ), small changes in effective values of the real λ' and imaginary є'' parts of complex dielectric permittivity were measured in the low frequency (1-50 kHz) region using a high sensitivity AC bridge. Different configurations were used of electric and light fields in the crystals. The local energy level spectrum was determined from ε′(λ)-ε′′(λ) diagrams presented in the complex plane. Analysis has been carried out of relationship between characteristic features of these diagrams and parameters of photoactive states of different nature. Effects are discussed of the surface potential and band bending upon energetics of the local states.
Методами фотодиэлектрической спектроскопии проведены исследования структуры энергетических уровней дефектных комплексов в изовалентно легированных кристаллах селенида цинка. При варьировании длины волны света (λ) с помощью высокочувствительных мостов переменного тока измерены малые изменения эффективных значений действительной λ' и мнимой λ'' частей комплексной диэлектрической проницаемости образцов в низкочастотной (1-50 кГц) области. Использовались различные конфигурации электрических и световых полей в кристаллах. Спектр локальных энергетических уровней определялся из диаграмм ε′(λ)-ε′′(λ), представленных в комплексной плоскости. Выполнен анализ связи характерных особенностей диаграмм с параметрами фотоактивных состояний различной природы. Обсуждается влияние поверхностного потенциала и изгиба зон на энергетику локальных состояний.
Методами Фотодієлєктричної спектроскопи проведено досліджєння структури енергетичних рівнів дефектних комплексів в ізовалентно легованих кристалах селеніду цинку. При варіюванні довжини хвилі світла (λ) за допомогою високочутливих мостів змінного струму виміряно малі зміни ефективних значень дійсної λ' та уявної λ" частин комплексної діелектричної проникності зразків у низькочастотному (1-50 кГц) діапазоні. Використовувалися різні конфігурації електричних та світлових полів у кристалах. Спектр локальних енергетичних рівнів визначався із діаграм ε′(λ)-ε′′(λ), наведених у комплексній площині. Зроблено аналіз зв’язку характерних особливостей діаграм з параметрами фотоактивних станів різної природи. Обговорюється вплив поверхневого потенціалу та вигину зон на енергетику локальних станів.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
Дослідження фотоактнвннх станів ізовалентно легованих крнсталів ZnSe методом скануючої фотодіелектрнчної спектроскопії
Article
published earlier
spellingShingle Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
Ryzhikov, V.
Starzhinskiy, N.
Chujai, O.
Migal, V.
Komar, V.
Katrunov, K.
Oleinik, S.
Zenya, I.
title Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
title_alt Дослідження фотоактнвннх станів ізовалентно легованих крнсталів ZnSe методом скануючої фотодіелектрнчної спектроскопії
title_full Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
title_fullStr Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
title_full_unstemmed Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
title_short Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
title_sort studies of photoactive states of isovalently doped znse crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139475
work_keys_str_mv AT ryzhikovv studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT starzhinskiyn studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT chujaio studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT migalv studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT komarv studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT katrunovk studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT oleiniks studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT zenyai studiesofphotoactivestatesofisovalentlydopedznsecrystalsbythemethodofscanningphotodielectricspectroscopy
AT ryzhikovv doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT starzhinskiyn doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT chujaio doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT migalv doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT komarv doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT katrunovk doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT oleiniks doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí
AT zenyai doslídžennâfotoaktnvnnhstanívízovalentnolegovanihkrnstalívznsemetodomskanuûčoífotodíelektrnčnoíspektroskopíí