Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
Using methods of photodielectric spectroscopy, studies have been carried out of the energy level structure of the defect complexes in isovalently doped zinc selenide crystals. On variation of light wavelength (λ), small changes in effective values of the real λ' and imaginary є'' part...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | Ryzhikov, V., Starzhinskiy, N., Chujai, O., Migal, V., Komar, V., Katrunov, K., Oleinik, S., Zenya, I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139475 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy / V. Ryzhikov, N.Starzhinskiy, O. Chujai, V. Migal’, V. Komar’, K. Katrunov, S. Oleinik, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
von: Chugai, O., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Chugai, O., et al.
Veröffentlicht: (2004)
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
von: Katrunov, K., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Katrunov, K., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
von: Starzhinskiy, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Starzhinskiy, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
von: Gal’chinetskii, L.P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Gal’chinetskii, L.P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te)
von: Volkov, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Volkov, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Scanning-tunneling microscopy/spectroscopy and break-junction tunneling spectroscopy of FeSe₁–xTex
von: Ekino, T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ekino, T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
von: Ryzhikov, V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ryzhikov, V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
von: Fedorov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Fedorov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
von: Gryvul, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gryvul, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Scanning-tunneling microscopy/spectroscopy and break-junction tunneling spectroscopy of FeSe1-xTex
von: T. Ekino, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: T. Ekino, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Sensitivity studies of beta-radiation detector based on small-crystalline scintillator ZnSe(Te)
von: Gavrylyuk, V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Gavrylyuk, V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Dipole-center in ZnSe crystals
von: Ya. Dehoda, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Ya. Dehoda, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Dipole-center in ZnSe crystals
von: Ya. Degoda, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Ya. Degoda, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
von: V. P. Makhniy, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. P. Makhniy, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
von: Komar, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Komar, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2009)
IR luminescence of ZnSe-based scintillators
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
von: Alizadeh, M., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Alizadeh, M., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Microhardness and brittle strength of ZnSe₍₁₋ₓ₎Teₓ crystals grown from melt
von: Rybalka, I.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Rybalka, I.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
von: Voloshina, L.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Voloshina, L.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
von: Tishchenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Tishchenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
von: V. P. Makhniy, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: V. P. Makhniy, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
von: Ya. Dehoda, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Ya. Dehoda, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
von: Ya. Degoda, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Ya. Degoda, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Steady-state spectroscopy and sub-nanosecond resonance transfer of exciton excitation energy in the Aqueous solutions and films of ZnSe nanocrystals
von: M. V. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: M. V. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Steady-state spectroscopy and sub-nanosecond resonance transfer of exciton excitation energy in the Aqueous solutions and films of ZnSe nanocrystals
von: N. V. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: N. V. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2022)
High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
von: V. P. Makhnij, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. P. Makhnij, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
von: Tishchenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Tishchenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
von: Grigorov, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Grigorov, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Study of phase transformations in silicon by scanning tunneling spectroscopy and nanoindentation
von: O. G. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: O. G. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of isovalent doping on the cathodoluminescence of Li₂B₄O₇:A (A = K, Cu, Ag) single crystals
von: Adamiv, V.T., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Adamiv, V.T., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
von: Vaksman, Yu.F., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Vaksman, Yu.F., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge
von: Maslov, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Maslov, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Ähnliche Einträge
-
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
von: Chugai, O., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
von: Katrunov, K., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
von: Starzhinskiy, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
von: Gal’chinetskii, L.P., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te)
von: Volkov, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2000)