Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
Using methods of photodielectric spectroscopy, studies have been carried out of the energy level structure of the defect complexes in isovalently doped zinc selenide crystals. On variation of light wavelength (λ), small changes in effective values of the real λ' and imaginary є'' part...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Ryzhikov, V., Starzhinskiy, N., Chujai, O., Migal, V., Komar, V., Katrunov, K., Oleinik, S., Zenya, I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139475 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy / V. Ryzhikov, N.Starzhinskiy, O. Chujai, V. Migal’, V. Komar’, K. Katrunov, S. Oleinik, I. Zenya // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 563-566. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te)
за авторством: Volkov, V.G., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Volkov, V.G., та інші
Опубліковано: (2000)
Scanning-tunneling microscopy/spectroscopy and break-junction tunneling spectroscopy of FeSe₁–xTex
за авторством: Ekino, T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ekino, T., та інші
Опубліковано: (2013)
Radiation-induced changes in dielectric and photoelectric properties of AᴵᴵBⱽᴵ crystals
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Scanning-tunneling microscopy/spectroscopy and break-junction tunneling spectroscopy of FeSe1-xTex
за авторством: T. Ekino, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. Ekino, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Sensitivity studies of beta-radiation detector based on small-crystalline scintillator ZnSe(Te)
за авторством: Gavrylyuk, V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Gavrylyuk, V., та інші
Опубліковано: (2001)
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
IR luminescence of ZnSe-based scintillators
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Microhardness and brittle strength of ZnSe₍₁₋ₓ₎Teₓ crystals grown from melt
за авторством: Rybalka, I.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rybalka, I.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Steady-state spectroscopy and sub-nanosecond resonance transfer of exciton excitation energy in the Aqueous solutions and films of ZnSe nanocrystals
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2022)
Steady-state spectroscopy and sub-nanosecond resonance transfer of exciton excitation energy in the Aqueous solutions and films of ZnSe nanocrystals
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2022)
High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
Study of phase transformations in silicon by scanning tunneling spectroscopy and nanoindentation
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Influence of isovalent doping on the cathodoluminescence of Li₂B₄O₇:A (A = K, Cu, Ag) single crystals
за авторством: Adamiv, V.T., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Adamiv, V.T., та інші
Опубліковано: (2009)
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Dispersions of carbon nanotubes in cholesteric liquid crystals with photoactive components
за авторством: Samoilov, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Samoilov, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Схожі ресурси
-
Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004) -
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004) -
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008) -
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006) -
Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te)
за авторством: Volkov, V.G., та інші
Опубліковано: (2000)