Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot

The influence of impurity on energy breadth of an optical gap for quantum dot is studied within the framework of deformation potential model. It is established that with size increase of a quantum dot with an ionization donor dopant an optical gap diminishes.
 For smaller radiuses (R₀...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Functional Materials
Date:2006
Main Authors: Dan'kiv, O.O., Peleshchak, R.M.
Format: Article
Language:English
Published: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139493
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot / O.O. Dan'kiv, R.M. Peleshchak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862751472320512000
author Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
author_facet Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
citation_txt Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot / O.O. Dan'kiv, R.M. Peleshchak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Functional Materials
description The influence of impurity on energy breadth of an optical gap for quantum dot is studied within the framework of deformation potential model. It is established that with size increase of a quantum dot with an ionization donor dopant an optical gap diminishes.
 For smaller radiuses (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) energy breadth of the basic optical transition Е in quantum dots with donor dopants is greater, than in unblended ones. For the major sizes of quantum dots R₀ ≥ 58 Å the converse effect is observed. В рамках модели деформационного потенциала исследовано влияние примеси на энергетическую ширину оптической щели квантовой точки. Установлено, что с увеличением размеров квантовой точки с ионизированной донорной примесью оптическая щель суживается. Для меньших радиусов (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) энергетическая ширина основного оптического перехода Е в квантовых точках с донорными примесями больше, чем без примесей. При больших размерах квантовых точек R₀ ≥ 58 Å наблюдается обратный эффект. У рамках моделi деформацiйного потенцiалу дослiджено вплив домiшки на енергетичну ширину оптичної щiлини квантової точки. Встановлено, що зi збiльшенням розмiрiв квантової точки з iонiзованою донорною домiшкою оптична щiлина звужується. Для менших радiусiв (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) енергетична ширина основного оптичного переходу Е у квантових точках з донорними домiшками бiльша, нiж без домiшок. У разi бiльших розмiрiв квантових точок R₀ ≥ 58 Å спостерiгається протилежний ефект.
first_indexed 2025-12-07T21:12:19Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139493
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1027-5495
language English
last_indexed 2025-12-07T21:12:19Z
publishDate 2006
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
record_format dspace
spelling Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
2018-06-20T14:15:11Z
2018-06-20T14:15:11Z
2006
Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot / O.O. Dan'kiv, R.M. Peleshchak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139493
The influence of impurity on energy breadth of an optical gap for quantum dot is studied within the framework of deformation potential model. It is established that with size increase of a quantum dot with an ionization donor dopant an optical gap diminishes.
 For smaller radiuses (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) energy breadth of the basic optical transition Е in quantum dots with donor dopants is greater, than in unblended ones. For the major sizes of quantum dots R₀ ≥ 58 Å the converse effect is observed.
В рамках модели деформационного потенциала исследовано влияние примеси на энергетическую ширину оптической щели квантовой точки. Установлено, что с увеличением размеров квантовой точки с ионизированной донорной примесью оптическая щель суживается. Для меньших радиусов (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) энергетическая ширина основного оптического перехода Е в квантовых точках с донорными примесями больше, чем без примесей. При больших размерах квантовых точек R₀ ≥ 58 Å наблюдается обратный эффект.
У рамках моделi деформацiйного потенцiалу дослiджено вплив домiшки на енергетичну ширину оптичної щiлини квантової точки. Встановлено, що зi збiльшенням розмiрiв квантової точки з iонiзованою донорною домiшкою оптична щiлина звужується. Для менших радiусiв (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) енергетична ширина основного оптичного переходу Е у квантових точках з донорними домiшками бiльша, нiж без домiшок. У разi бiльших розмiрiв квантових точок R₀ ≥ 58 Å спостерiгається протилежний ефект.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
Вплив домішки на електронний перехід у когерентно-напруженій квантовій точці
Article
published earlier
spellingShingle Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
title Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_alt Вплив домішки на електронний перехід у когерентно-напруженій квантовій точці
title_full Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_fullStr Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_full_unstemmed Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_short Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_sort influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139493
work_keys_str_mv AT dankivoo influenceofimpurityonelectronictransitionincoherentstrainedquantumdot
AT peleshchakrm influenceofimpurityonelectronictransitionincoherentstrainedquantumdot
AT dankivoo vplivdomíškinaelektronniiperehídukogerentnonapruženíikvantovíitočcí
AT peleshchakrm vplivdomíškinaelektronniiperehídukogerentnonapruženíikvantovíitočcí