Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot

Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot

The influence of impurity on energy breadth of an optical gap for quantum dot is studied within the framework of deformation potential model. It is established that with size increase of a quantum dot with an ionization donor dopant an optical gap diminishes. For smaller radiuses (R₀ ~ 40 Å ÷...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2006
Автори: Dan'kiv, O.O., Peleshchak, R.M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2006
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139493
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot / O.O. Dan'kiv, R.M. Peleshchak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139493
record_format dspace
spelling Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
2018-06-20T14:15:11Z
2018-06-20T14:15:11Z
2006
Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot / O.O. Dan'kiv, R.M. Peleshchak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139493
The influence of impurity on energy breadth of an optical gap for quantum dot is studied within the framework of deformation potential model. It is established that with size increase of a quantum dot with an ionization donor dopant an optical gap diminishes. For smaller radiuses (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) energy breadth of the basic optical transition Е in quantum dots with donor dopants is greater, than in unblended ones. For the major sizes of quantum dots R₀ ≥ 58 Å the converse effect is observed.
В рамках модели деформационного потенциала исследовано влияние примеси на энергетическую ширину оптической щели квантовой точки. Установлено, что с увеличением размеров квантовой точки с ионизированной донорной примесью оптическая щель суживается. Для меньших радиусов (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) энергетическая ширина основного оптического перехода Е в квантовых точках с донорными примесями больше, чем без примесей. При больших размерах квантовых точек R₀ ≥ 58 Å наблюдается обратный эффект.
У рамках моделi деформацiйного потенцiалу дослiджено вплив домiшки на енергетичну ширину оптичної щiлини квантової точки. Встановлено, що зi збiльшенням розмiрiв квантової точки з iонiзованою донорною домiшкою оптична щiлина звужується. Для менших радiусiв (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) енергетична ширина основного оптичного переходу Е у квантових точках з донорними домiшками бiльша, нiж без домiшок. У разi бiльших розмiрiв квантових точок R₀ ≥ 58 Å спостерiгається протилежний ефект.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
Вплив домішки на електронний перехід у когерентно-напруженій квантовій точці
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
spellingShingle Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
title_short Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_full Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_fullStr Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_full_unstemmed Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
title_sort influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot
author Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
author_facet Dan'kiv, O.O.
Peleshchak, R.M.
publishDate 2006
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Вплив домішки на електронний перехід у когерентно-напруженій квантовій точці
description The influence of impurity on energy breadth of an optical gap for quantum dot is studied within the framework of deformation potential model. It is established that with size increase of a quantum dot with an ionization donor dopant an optical gap diminishes. For smaller radiuses (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) energy breadth of the basic optical transition Е in quantum dots with donor dopants is greater, than in unblended ones. For the major sizes of quantum dots R₀ ≥ 58 Å the converse effect is observed. В рамках модели деформационного потенциала исследовано влияние примеси на энергетическую ширину оптической щели квантовой точки. Установлено, что с увеличением размеров квантовой точки с ионизированной донорной примесью оптическая щель суживается. Для меньших радиусов (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) энергетическая ширина основного оптического перехода Е в квантовых точках с донорными примесями больше, чем без примесей. При больших размерах квантовых точек R₀ ≥ 58 Å наблюдается обратный эффект. У рамках моделi деформацiйного потенцiалу дослiджено вплив домiшки на енергетичну ширину оптичної щiлини квантової точки. Встановлено, що зi збiльшенням розмiрiв квантової точки з iонiзованою донорною домiшкою оптична щiлина звужується. Для менших радiусiв (R₀ ~ 40 Å ÷ 57 Å) енергетична ширина основного оптичного переходу Е у квантових точках з донорними домiшками бiльша, нiж без домiшок. У разi бiльших розмiрiв квантових точок R₀ ≥ 58 Å спостерiгається протилежний ефект.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139493
citation_txt Influence of impurity on electronic transition in coherent-strained quantum dot / O.O. Dan'kiv, R.M. Peleshchak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 14-20. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT dankivoo influenceofimpurityonelectronictransitionincoherentstrainedquantumdot
AT peleshchakrm influenceofimpurityonelectronictransitionincoherentstrainedquantumdot
AT dankivoo vplivdomíškinaelektronniiperehídukogerentnonapruženíikvantovíitočcí
AT peleshchakrm vplivdomíškinaelektronniiperehídukogerentnonapruženíikvantovíitočcí
first_indexed 2025-12-07T21:12:19Z
last_indexed 2025-12-07T21:12:19Z
_version_ 1850885474591178752

Схожі ресурси