Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime

Taking into account the latent melting heat and the heat conductivity differences between the solid and liquid phases, the stationary heat and mass transfer problem in a bounded domain region of a crystal/melt system has been solved under linear approximation with respect to the crystallization fron...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Functional Materials
Дата:2004
Автори: Kanishchev, V.N., Barannik, S.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139494
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime / V.N. Kanishchev, S.V. Barannik // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 671-675. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-139494
record_format dspace
spelling Kanishchev, V.N.
Barannik, S.V.
2018-06-20T15:13:40Z
2018-06-20T15:13:40Z
2004
Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime / V.N. Kanishchev, S.V. Barannik // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 671-675. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1027-5495
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139494
Taking into account the latent melting heat and the heat conductivity differences between the solid and liquid phases, the stationary heat and mass transfer problem in a bounded domain region of a crystal/melt system has been solved under linear approximation with respect to the crystallization front non-flatness. The region of the problem input parameters has been shown to be subdivided into two sub-regions, a subcritical (where the solution can be a flat one only) and a supercritical one (where the crystallization front can take a cellular structure). The derived condition of the transition to the supercritical crystallization regime corresponds exactly to the modified criterion of concentration overcooling that is known in the cellular crystal growth theory.
С учетом скрытой теплоты плавления и различия между теплопроводностями твердой и жидкой фаз в линейном приближении по амплитуде отклонения от плоского фронта кристаллизации (ФК) решена стационарная задача по тепломассопереносу в ограниченной области системы кристалл — расплав. Показано, что область значений входных параметров задачи разбивается на две области: докритическую, когда решение может быть только плоским, и закритическую, когда ФК может принимать ячеистую структуру. Полученное условие перехода к закритическому режиму кристаллизации в точности соответствует известному в теории ячеистого роста кристаллов модифицированному критерию концентрационного переохлаждения.
З урахуванням прихованої теплоти плавлення та різниці між теплопровідностями твердої та рідкої фаз у лінійному наближенні вздовж амплітуди відхилення від плоского фронту кристалізації (ФК) вирішено стаціонарну задачу з тепломасопереносу в обмеженій області системи кристал-розплав. Показано, що область значень вхідних параметрів задачі розбивається на дві області: докритичну, коли рішення може бути тільки плоским, та закритичну, коли ФК може утворювати коміркову структуру. Одержана умова переходу до закритичного режиму кристалізації точно відповідає відомому в теорії комірчастого росту кристалів модифікованому критерію концентраційного переохолодження.
en
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Functional Materials
Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
Розрахунок критичних значень параметрів кристалізації бінарного розплаву в стаціонарному режимі
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
spellingShingle Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
Kanishchev, V.N.
Barannik, S.V.
title_short Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
title_full Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
title_fullStr Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
title_full_unstemmed Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
title_sort critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime
author Kanishchev, V.N.
Barannik, S.V.
author_facet Kanishchev, V.N.
Barannik, S.V.
publishDate 2004
language English
container_title Functional Materials
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
format Article
title_alt Розрахунок критичних значень параметрів кристалізації бінарного розплаву в стаціонарному режимі
description Taking into account the latent melting heat and the heat conductivity differences between the solid and liquid phases, the stationary heat and mass transfer problem in a bounded domain region of a crystal/melt system has been solved under linear approximation with respect to the crystallization front non-flatness. The region of the problem input parameters has been shown to be subdivided into two sub-regions, a subcritical (where the solution can be a flat one only) and a supercritical one (where the crystallization front can take a cellular structure). The derived condition of the transition to the supercritical crystallization regime corresponds exactly to the modified criterion of concentration overcooling that is known in the cellular crystal growth theory. С учетом скрытой теплоты плавления и различия между теплопроводностями твердой и жидкой фаз в линейном приближении по амплитуде отклонения от плоского фронта кристаллизации (ФК) решена стационарная задача по тепломассопереносу в ограниченной области системы кристалл — расплав. Показано, что область значений входных параметров задачи разбивается на две области: докритическую, когда решение может быть только плоским, и закритическую, когда ФК может принимать ячеистую структуру. Полученное условие перехода к закритическому режиму кристаллизации в точности соответствует известному в теории ячеистого роста кристаллов модифицированному критерию концентрационного переохлаждения. З урахуванням прихованої теплоти плавлення та різниці між теплопровідностями твердої та рідкої фаз у лінійному наближенні вздовж амплітуди відхилення від плоского фронту кристалізації (ФК) вирішено стаціонарну задачу з тепломасопереносу в обмеженій області системи кристал-розплав. Показано, що область значень вхідних параметрів задачі розбивається на дві області: докритичну, коли рішення може бути тільки плоским, та закритичну, коли ФК може утворювати коміркову структуру. Одержана умова переходу до закритичного режиму кристалізації точно відповідає відомому в теорії комірчастого росту кристалів модифікованому критерію концентраційного переохолодження.
issn 1027-5495
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/139494
citation_txt Critical parameter calculation of a binary melt crystallization in stationary regime / V.N. Kanishchev, S.V. Barannik // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 671-675. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT kanishchevvn criticalparametercalculationofabinarymeltcrystallizationinstationaryregime
AT baranniksv criticalparametercalculationofabinarymeltcrystallizationinstationaryregime
AT kanishchevvn rozrahunokkritičnihznačenʹparametrívkristalízacííbínarnogorozplavuvstacíonarnomurežimí
AT baranniksv rozrahunokkritičnihznačenʹparametrívkristalízacííbínarnogorozplavuvstacíonarnomurežimí
first_indexed 2025-12-07T15:39:52Z
last_indexed 2025-12-07T15:39:52Z
_version_ 1850864558355251200