Chugai, O., Ryzhikov, V., Starzhinskiy, N., Oleynik, S., Katrunov, K., & Zenya, I. (2004). Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals. Functional Materials.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Chugai, O., V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, S. Oleynik, K. Katrunov, та I. Zenya. "Electrophysical Properties of Metal-semiconductor-metal Structures Based on Isovalently Doped Zinc Selenide Crystals." Functional Materials 2004.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Chugai, O., et al. "Electrophysical Properties of Metal-semiconductor-metal Structures Based on Isovalently Doped Zinc Selenide Crystals." Functional Materials, 2004.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.